Динамикалық жады сұлбасының фрагменті. Жұмысы және статикалық жадыдан ерекшілігі.

27. Динамикалық жады сұлбасының фрагменті. Жұмысы және статикалық жадыдан ерекшілігі.

Динамикалық жедел жады (DRAM) қазіргі замандық компьютерлердің негізгі жадысы болып табылады. Динамикалық жадыда жады элементтері ретінде nМОЖ-транзисторлары және шамалы сыйымдылығы бар конденсатор-лар қолданылады. Жады элементіне қатынас құру кезіндегі жазу және оқу процестері конденсатордың зарядталуымен және разрядталуымен анықталады. Жады элементіне ұзақ уақыт қатынас жасамаған кезде тоқтың ағып кетуі салдарынан және де оқу кезінде конденсатор разрядталады да, онда сақталынған ақпарат уақыт өте жойылады. Сондықтан динамикалық жадыда ақпаратты сақтау үшін периодты түрде регенерациялап отыру керек, нәтижесінде конденсатор зарядталып отырады. Динамикалық жадының статикалық жадыдан негізгі айырмашылығы осында. Сонымен қатар, динамикалық жады статикалық жадымен салыстырғанда жылдамдығы төмен, бірақ динамикалық жадының жады элементі көлемі кішкентай, сондықтан бір кристаллда милиондаған жады элементтерін орналастыру мүмкіншілігі бар.

Қазіргі замандық динамикалық жады құрылғыларында біртранзисторлы жады элементтері қолданылады (12.1-ші сурет), мұнда деректерді оқу-жазу және енгізу-шығару шиналары біріктірілген, ал жады элементінің өзі С₃ конденсаторынан және кілт режимінде жұмыс істейтін nМОЖ-транзисторынан тұрады. Т₀ транзисторының бекітпесі (затвор) жады элементі матрицасының қатарды таңдау желісіне қосылған, яғни қатардың адрестеу дешифраторының шығысына қосылады. Желіде жоғары деңгейлі (логикалық 1) сигналы пайда болғанда Т₀ транзисторы ашылады және С₃ конденсаторы разрядтық деректер шинасына қосылады, ол сонымен қатар жазу-оқу желісі (ЖОЖ) деп аталады.

12.1-сурет. Динамикалық жадының сақтау элементі

Жұмыс істеу режиміне байланысты жады элементінде сақталынған ақпатартты оқуға немесе оған жаңа ақпарат жазуға болады. Сақтау режимінде Т₀ транзисторы жабық, ал логикалық 1-ге немесе логикалық 0-ге сәйкес келетін жады элементінің күйі С₃ конденсаторындағы зарядтың бар болуы немесе жоқ болуымен сипатталады. “0”-ді оқу немесе “1”-ді оқу процестерін анализдей отырып оқылатын сигналдың мәнін анықтау қиын емес. Ол шамамен келесідей болады: , өте аз болады, өйткені С₃ конденсаторының сыйымдылығы С_ш конденсаторының сыйымдылығынан мейлінше аз. Сонымен қатар, оқу кезінде және де жадылық С₃ сыйымдылығын разрядтық шинаға қосқанда зарядтың өзгеруіне байланысты ақпарат жойылады. Бұл кемшіліктерді жою үшін күшейткіш-регинераторлар пайдаланылады және де С₃ сыйымдылығын үлкейтудің (жады элементінің ауданын үлкейтпей) және С_ш сыйымдылығын кішірейтудің түрлі әдістері қолданылады.

12.2-ші суретте сақтау элементтері жолдар мен бағаналар матрицасы түрінде ұйымдастырылған динамикалық жадының сұлбасының фрагменті келтірілген.

12.2-сурет. Динамикалық жадының құрылымдық сұлбасының фрагменті

⇐ Предыдущая 1 2 3 4 5 6 789 10 Следующая ⇒