|
|||
Стабилитроны. Туннельный диодСтабилитроны
рис. 6
Принцип действия основан на обратимом электрическом пробое. При достижении обратного напряжения UОБР=UСТ происходит электрический пробой p-n-перехода, в результате ток через стабилитрон IC резко возрастает (рис. 7).
рис. 7 В результате падение напряжения на RБ увеличивается, а на нагрузке RH остается без изменения. Стабилитроны серии Д814 имеют напряжение стабилизации от 3 до 20 В.
Туннельный диод
Принцип действия основан на применении так называемого туннельного эффекта. Используется в быстро переключающих схемах и генераторах. Он обладает отрицательным дифференциальным сопротивлением на определенном участке ВАХ.
рис. 8 Согласно закону Ома . Если повышается напряжение, то ток должен увеличиваться для любого материала. Но при возникновении туннельного эффекта при повышении напряжения от Umin до Umax ток уменьшается (рис. 8). Дифференциальное сопротивление на участке, где проявляется туннельный эффект, имеет отрицательное значение, а соотношение между максимальным и минимальным токами (рис. 8).
рис. 9
Для получения генерации синусоидальных колебаний в контур включают туннельный диод. В результате алгебраическая сумма активных сопротивлений в контуре равна 0. Поэтому в контуре возникают незатухающие колебания. Отрицательное дифференциальное сопротивление получается за счёт эффекта туннелирования электронов из n-области в р-область противоположно направлению основного электрического поля, приложенного к туннельному диоду. В результате общее число электронов, прошедших через сечение p-n-перехода за единицу времени с ростом внешнего напряжения уменьшается.
|
|||
|