ЛАБОРАТОРНАЯ PAБOTA 1. исследование полупроводниковых диодов

Стр 1 из 8Следующая ⇒

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Камский государственный политехнический институт

Исследование полупроводниковых диодов.

Методические указания к лабораторной работе

г. Набережные Челны

2003 г.

ЛАБОРАТОРНАЯ PAБOTA 1

исследование полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучение принципа действия, конструкции германиевых и кремниевых полупроводниковых диодов. Снятие их статических характеристик.

Основные теоретические положения Главными свойствами, обуславливающими широкое применение электронных устройств, является высокая чувствительность, большое быстродействие и универсальность.

Чувствительность электронных устройств, называемая пороговой, определяется абсолютным значением входной величины, при котором они начинают работать. Пороговая чувствительность современных электронных устройств составляет: 10^-17 А по току, 10^-13 по напряжению, 10^-24 Вт по мощности.

Большое быстродействие электронных устройств имеет важное значение при автоматическом регулировании, контроле и управлении быстропротекающими процессами, достигающих долей микросекунды.

Универсальность заключается в том, что в электрическую энергию, на изменении которой основано действие всех видов электронных приборов, сравнительно легко преобразуются в другие виды энергии: механическая, тепловая, акустическая, атомная и др. Подобная универсальность очень важна для промышленной электроники, так как в промышленности используются все виды энергии.

Для проводников не существует запретной зоны.

В полупроводнике ширина запретной зоны около 3 эВ

У диэлектриков ширина запретной зоны около 12 эВ. В результате электрон не может преодолеть запрещенную зону, поэтому тока в диэлектрике не существует до напряжения пробоя. Свойства материала (проводимость) зависят от внешних условий (t°, поглощение различных излучений)

12 3 4 5 6 7 8 Следующая ⇒