Лазерное скрайбирование

При лазерном скрайбировании (рисунок 5) разделительные риски между готовыми структурами создают испарением узкой полосы полупроводникового материала с поверхности пластины во время ее перемещения относительно сфокусированного лазерного луча. Это приводит к образованию в пластине сравнительно глубоких (до 50... 100 мкм) и узких (до 25…40 мкм) канавок. Канавка, узкая и глубокая по форме, играет роль концентратора механических напряжений. При разламывании пластины возникающие напряжения приводят к образованию на дне канавки трещин, распространяющихся сквозь всю толщину пластины, в результате чего происходит ее разделение на отдельные кристаллы.

Наряду с созданием глубокой разделительной канавки достоинством лазерного скрайбирования является его высокая производительность (100... 200 мм/с), отсутствие на полупроводниковой пластине микротрещин и сколов. В качестве режущего инструмента используют импульсный оптический квантовый генератор с частотой следования импульсов 5... 50 кГц и длительностью импульса 0, 5 мс.

Рисунок 5 — Схема лазерного скрайбирования полупроводниковой пластины

2. Определите число витков N пленочной катушки индуктивности, если: t

= 0, 9 мм; Dвн = 2 мм; Dнар = 4 мм.

= 1, 111 витков (мб просто 1 оставить)

3. Механическая обработка кремния.

⇐ Предыдущая 123 4 Следующая ⇒