Вопросы к зачету по дисциплине «Интегральные

Вопросы к зачету по дисциплине «Интегральные

устройства ЭС» 2021

1. Алмазное и лазерное скрайбирование.

Алмазное скрайбирование

Эта операция состоит в создании на полупроводниковой пластине между готовыми структурами рисок или разделительных канавок механическим воздействием на нее алмазного резца (рисунок), что приводит к образованию неглубоких направленных трещин. При приложении дополнительных усилий в процессе разламывания трещины распространяются на всю толщину пластины, в результате чего происходит разделение ее на отдельные кристаллы.

Основным достоинством скрайбирования наряду с высокими производительностью и культурой производства является малая ширина прорези, а следовательно, отсутствие потерь полупроводникового материала. Обычно ширина риски не превышает 1020 мкм, а глубина 510 мкм, скорость движения резца 5075 мм/с, нагрузка на резце 1, 21, 4 Н.

Рисунок 4 — Скрайбирование алмазным резцом

конструкция алмазной пирамиды (1 — режущая грань резца; 2 — дорожки для скрайбирования в слое защитного диэлектрика; 3 — полупроводниковые микросхемы; 4 — ситалловая пластина)

Качество скрайбирования и последующей ломки в значительной степени зависят от состояния рабочей части алмазного резца. Работа резцом в изношенным режущим ребром или вершиной приводит к сколам при скрайбировании и некачественной ломке. Обычно скрайбирование выполняют резцами, изготовленными из натурального алмаза, которые по сравнению с более дешевыми резцами из синтетических алмазов имеют большую стоимость. Получили распространение резцы, имеющие режущую часть в форме трехгранной или усеченной четырехгранной пирамиды (рисунок 4, в), режущими элементами которой являются ее ребра. Средняя стойкость резца (одного режущего ребра) до переточки при скрайбировании ситалла составляет 80 м пути.

12 3 4 Следующая ⇒