|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА № 1. Работа с полупроводниковыми приборами. Теоретические сведенияСтр 1 из 3Следующая ⇒ ПРАКТИЧЕСКАЯ РАБОТА № 1 Работа с полупроводниковыми приборами Цель: научиться работать с полупроводниковыми приборами диодами, определять их маркировку по справочным данным, производить простейшиерасчёты с помощью графиков. Время проведения занятия: 180мин Оснащение рабочего места: раздаточный материал. Приобретаемые умения и навыки: студент должен знать: - определения полупроводниковых приборов; - правила работы со справочной литературой; - работу с графиками; - простейший расчёт основных параметров полупроводникового диода; должен уметь: - использовать в своей работе справочную литературу; - уметь с помощью графиков производить простейшие расчёты; - знать маркировку полупроводниковых приборов; - знать условные графические обозначения полупроводниковых приборов.
Теоретические сведения Система условных обозначений современныхтипов диодов установлена отраслевым Стандартом ОСТ 11336. 919-81. Воснову системы обозначений положен буквенно-цифровой код. Первый элемент обозначен исходный полупроводниковый материалы, из которого изготовлен диод. Используются буквы или цифры: Г или 1 – для германия или его соединений; К или 2 – для кремния или его соединений; А или 3 – для соединений галлия; И или 4 – для соединений индия. Второй элемент – буква, определяющая подкласс (или группу) прибора. Д – для диодов выпрямительных, импульсных, магнитодиодов, термодиодов; Ц – выпрямительные столбы и блоки; А – диоды СВЧ; В – варикапы; И – туннельные и обращенные диоды; Н – диодные тиристоры; У – триодные тиристоры; Л – излучатели (светодиоды); Г – генераторы шума; Б – диоды Ганна; К – стабилизаторы тока; С – стабилитроны и стабисторы. Третий элемент – состоит из трех цифр, обозначающих назначение икачественные свойства приборов, а также порядковый номер разработки. Ниже приводится расшифровка третьего элемента обозначения различныхтипов диодов и обозначение третьего элемента стабилитронов в зависимостиот их мощности. Четвертый элемент (буква) обозначает классификацию диода внутритехнологического типа по одному или нескольким электрическимпараметрам. В ряде случаев такая классификация может осуществляться безбуквы только с помощью третьего элемента, при этом приборам одного типа, но с различными классификационными параметрами даются разныетрехзначные номера в пределах соответствующей сотни. Задание. 1. Расшифруйте предложенную преподавателем маркировкуполупроводниковых приборов и зарисуйте условное графическоеобозначение этих приборов. Заполните таблицу 1. Наименования диодов представлены в таблице 3. Таблица 1-Пример УГО полупроводниковых приборов
2. Дайте определение каждого полупроводникового прибора приведённого в таблице 1. 3. В соответствии с графиком 1 (рисунок 1) определить сопротивление полупроводникового диода постоянному току при включении в прямом и обратном направлениях, если известны прямое и обратное напряжения. Рисунок 1 – Вольт-амперные характеристики выпрямительных диодов при различных температурах: 1 – 1000 С, 2 - 250 С, 3 -- - 600 С
Формулы для расчётов Rпр =Uпр / Iпр Rобр = Uобр / Iобр
4. По вольт-амперныме характеристикам полупроводникового диодадля температур 1000С, 250С, -600С (рисунок 1) определите сопротивлениедиода постоянному току в прямом направлении, при известном Iпр. Сравнитеполученные значения. Объясните разницу в расчётах. 5. Сделайте вывод о работе. После выполнения практической работы студент должен знать: - определения полупроводниковых приборов; - правила работы со справочной литературой; - работу с графиками; - простейший расчёт основных параметров полупроводникового диода. должен уметь: - использовать в своей работе справочную литературу; - уметь с помощью графиков производить простейшие расчёты; - знать маркировку полупроводниковых приборов; - знать условные графические обозначения полупроводниковых приборов. Контрольные вопросы. 1. Область применения полупроводниковых приборов? 2. Дайте определение полупроводниковому диоду. 3. Перечислите основные параметры полупроводниковых материалов? 4. Приведите определение: - туннельный диод; - фотодиод; - фототранзистор; - оптрон; - биполярный транзистор. Содержание отчета о выполнении практической работы. 1. Тема и цель работы. 2. Краткие теоретические сведения. 3. Материально-техническое оснащение. 4. Определение полупроводниковых приборов; 5. Расшифровка маркировки полупроводниковых приборов с помощью справочных данных. 6. Расчёт параметров полупроводниковых приборов. 7. Вывод по работе. Критерии оценивания работы студентов: Оценка «отлично»- студент свободно владеет терминологией по соответствующей теме, уверенно работает со справочными данными, производит расчёты, умеет обосновать свой ответ. Оценка «хорошо»- студент владеет терминологией, но допускает ошибки в воспроизведении определений по соответствующей теме, уверенно работает со справочными данными, допускает незначительные ошибки при расчётах, умеет обосновать свой ответ. Оценка «удовлетворительно» - студент слабо владеет терминологией по соответствующей теме, допускает ошибки при работе со справочными данными, допускает значительные ошибки при расчётах, слабо может обосновать свой ответ. Оценка «неудовлетворительно» - студент не владеет терминологией по соответствующей теме, не умеет работать со справочными данными, при расчётах допускает большое количество ошибок, не может обосновать свой ответ.
Справочная литература. Чернышов А. А., Диоды и тиристоры, М: Энергия, 1976.
Варианты заданийприведены в таблице 2. Номер варианта соответствует списочному составу в журнале.
Таблица 2-Варианты заданий
Таблица 3-Наименование диодов
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|