Cвойства диэлектриков. Работа выхода из металлов, эВ. Свойства полупроводников при Т=300К
Si
T, К
| (d)
| (d)
|
| α, эВ/К
|
|
|
|
|
| 1,08
| 0,56
| 1,21
| 2,4·10-4
|
|
|
|
|
|
|
|
Ge
T, К
|
|
|
| α, эВ/К
|
|
|
|
|
| 0,56
| 0,35
| 0,80
| 3,9·10-4
|
|
|
|
|
|
|
|
GaAs
T, К
|
|
|
| α, эВ/К
|
|
|
|
|
| 0,068
| 0,45
| 1,56
| 4,3·10-4
|
|
|
|
|
|
|
|
InSb
T, К
|
|
|
| α, эВ/К
|
|
|
|
|
| 0,013
| 0,6
| 0,235
| 2,8·10-4
|
|
|
|
|
| |
|
Cвойства диэлектриков
| Eg, эВ
| eст
| e∞
| r, г-1см-1
| Eпр, В/см
| SiO2
| 9,0
| 3,82
| 2,13
| 2,33
| 1,2×107
| Si3N4
| 5,1
| 6,5
| 4,2
| 3,11
| 6,0×106
| Ta2O5
| 4,5
|
| 5,0
| 8,53
| 6,0×106
|
Работа выхода из металлов, эВ
Mg
| Al
| Ni
| Cu
| Ag
| Au
| Pt
| 3.4
| 4.1
| 4.5
| 4.4
| 4.3
| 4.7
| 5.3
|
Свойства полупроводников при Т=300К
| Si
| Ge
| GaAs
| InSb
| es
| 11.9
|
| 10.9
|
| Nc,см-3
| 2.8×1019
| 1.04×1019
| 4.7×1017
| 3.7×1016
| Nv,cм-3
| 1.02×1019
| 6.11×1018
| 7.0×1018
| 1.16×1019
| Eg,эВ
| 1.12
| 0.66
| 1.43
| 0.18
| Ego,эВ
| 1.21
| 0.80
| 1.56
| 0.235
| a,эВ/К
| 2.4×10-4
| 3.9×10-4
| 4.3×10-4
| 2.8×10-4
| c,эВ
| 4.05
| 4.0
| 4.07
| 4.6
| ni,см-3
| 1.6×1010
| 2.5×1013
| 1.1×107
| 2×1016
| me,cм2 В-1с-1
|
|
|
|
| mp,см2В-1с-1
|
|
|
|
| n
| 3.44
| 4.0
| 3.4
| 3.75
| t,c
| 2.5×10-3
| 10-3
| 10-8
| 10-8
| m*de
| 1.08
| 0.56
| 0.068
| 0.013
| m*dp
| 0.56
| 0.35
| 0.45
| 0.6
| ldобст, мкм
|
| 0.68
|
|
|
|