Хелпикс

Главная

Контакты

Случайная статья



Cвойства диэлектриков. Работа выхода из металлов, эВ. Свойства полупроводников при Т=300К

⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 3Следующая ⇒


Si

 

T, К (d) (d) α, эВ/К  

1,08

0,56

1,21

2,4·10-4

      
     

 

Ge

 

T, К α, эВ/К  

0,56

0,35

0,80

3,9·10-4

      
     

 

GaAs

 

T, К α, эВ/К  

0,068

0,45

1,56

4,3·10-4

      
     

 

InSb

 

T, К α, эВ/К  

0,013

0,6

0,235

2,8·10-4

      
   

 

 

Cвойства диэлектриков

 

  Eg, эВ eст e∞ r, г-1см-1 Eпр, В/см
SiO2 9,0 3,82 2,13 2,33 1,2×107
Si3N4 5,1 6,5 4,2 3,11 6,0×106
Ta2O5 4,5 5,0 8,53 6,0×106

 

Работа выхода из металлов, эВ

 

Mg Al Ni Cu Ag Au Pt
3.4 4.1 4.5 4.4 4.3 4.7 5.3

 

 

Свойства полупроводников при Т=300К

 

  Si Ge GaAs InSb
es 11.9 10.9
Nc,см-3 2.8×1019 1.04×1019 4.7×1017 3.7×1016
Nv,cм-3 1.02×1019 6.11×1018 7.0×1018 1.16×1019
Eg,эВ 1.12 0.66 1.43 0.18
Ego,эВ 1.21 0.80 1.56 0.235
a,эВ/К 2.4×10-4 3.9×10-4 4.3×10-4 2.8×10-4
c,эВ 4.05 4.0 4.07 4.6
ni,см-3 1.6×1010 2.5×1013 1.1×107 2×1016
me,cм2 В-1с-1
mp,см2В-1с-1
n 3.44 4.0 3.4 3.75
t,c 2.5×10-3 10-3 10-8 10-8
m*de 1.08 0.56 0.068 0.013
m*dp 0.56 0.35 0.45 0.6
ldобст, мкм 0.68  

 


⇐ Предыдущая123Следующая ⇒
  

© helpiks.su При использовании или копировании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.