|
|||
Цифро-буквенные обозначения биполярных и полевых транзисторов.⇐ ПредыдущаяСтр 14 из 14 Контрольные вопросы. 1. Какие проблемы возникают при создании мощных полевых транзисторов и как они решаются? 2. Как устроены мощные полевые транзистора ДМДП и VМДП типа? 3. Как работают мощные полевые транзисторы со статической индукцией? 4. Начертите эквивалентную схему IGBT транзистора и поясните его работу. 5. Какими достоинствами характеризуются IGBT транзисторы?
12. Цифро-буквенные обозначения биполярных и полевых транзисторов. Большое разнообразие биполярных и полевыхтранзисторов отражается в их условных обозначениях (маркировке), содержащих определенную информацию об их свойствах. Первый элемент обозначения характеризует материал полупроводника: - Г (или 1) — германий; - К (или 2) — кремний; - А (или 3) — арсенид галлия; -И (или 4) — соединения индия. Буквы используют при маркировке транзисторов широкого применения, цифры - при маркировке транзисторов специального назначения. Вторым элементом обозначения для биполярных транзисторов является буква Т, а для полевых транзисторов используется буква П. Третий элемент обозначения характеризует мощность и частотные свойства: 1 — маломощный низкочастотный; 2 — маломощный средней частоты; 3 — маломощный высокочастотный; 4 — средней мощности низкочастотный; 5 — средней мощности средней частоты; 6 — средней мощности высокочастотный; 7 — большой мощности низкочастотный; 8 — большой мощности средней частоты; 9 — большой мощности высокочастотный. Четвертый и пятый элементы указывают на порядковый номер разработки данного типа транзистора и обозначаются цифрами от 01 до 99. Шестой элемент обозначения (буквы от А до Я) показывает разделение транзисторов данного типа на подтипы по классификационным параметрам, например по величине h21Э или какого-либо другого параметра. Например, кремниевый биполярный мощный высокочастотный транзистор КТ 903А имеет минимальное значение h21Э =15, а транзистор КТ 903Б - минимальное значение h21Э = 40.
|
|||
|