МДП полевые транзисторы с встроенным каналом

9.5. МДП полевые транзисторы с встроенным каналом

На рисунке 9.6, а приведена структура МДП полевого транзистора с встроенным каналом п-типа проводимости. В этом транзисторе, как видно из

а) б)

Рис. 9.6. Структура МДП транзистора с встроенными каналами п-типа а) и р-типа б) и их электрическая схема включения

рисунка, между истоком и стоком существует канал проводимости и, поэтому, при подаче напряжения между стоком и истоком V_СИ даже при отсутствии напряжения на затворе будет протекать ток стока. При подаче на затвор относительно истока отрицательного напряжения (V_ЗИ< 0) электрическое поле затвора выталкивает электроны из области канала, канал обедняется основными носителями заряда и в результате чего проводимость канала уменьшается. Это уменьшает ток стока I_C. Одновременно с обеднением канала основными носителями в соответствие с эффектом поля в область канала втягиваются неосновные носители заряда – дырки. При возрастании отрицательного напряжения до |V_ЗИ|≥|V_ЗИпор | происходит инверсия проводимости канала: канал п-типа становится каналом р-типа, т.е. канал исчезает и ток стока становится равной нулю.

При положительном напряжении на затворе (V_ЗИ> 0) канал обогащается основными носителями – электронами, проводимость канала увеличивается, и ток стока растет. Максимальное значение тока стока ограничивается только его предельно допустимым значением.

На основе вышеприведенных рассуждений можно построить стоко-затворные (управляющие) характеристики МДП полевого транзистора с встроенным каналом п-типа (рис. 9.7, а). Как следует из характеристик, в этом транзисторе в отличие от МДП полевого транзистора с индуцированным каналом п-типа (см. рис. 7.10,а) ток стока отличен от нуля при обеих полярностях напряжения на затворе.

Выходные характеристики МДП полевого транзистора с встроенным каналом (рис. 9.7, б) качественно аналогичны выходным характеристикам других полевых транзисторов. Также их условно можно разделить на три участка: омический участок –левее штриховой линии, участок насыщения – правее штриховой линии и область пробоя, где наблюдается резкий рост тока стока.

а) б)

Рис.9.7. Статические стоко-затворные (а) и выходные (стоковые) (б) характеристики МДП полевого транзистора с индуцированным каналом п-типа.

На рисунке 9.6, б) приведена структура и схема включения МДП-транзистора с встроенным каналом р-типа. Физические процессы и статические вольтамперные характеристики полностью подобны расмотреннему выше МДП-транзистору с встроенным каналом п-типа, только меняются термины электроны на дырки и наоборот, а также меняются полярности приложенных напряжений на электродах и направление тока стока.

⇐ Предыдущая 4 5 6 7 8910 11 12 13 Следующая ⇒