![]()
|
|||||||
Расчет тока стока полевого транзистора с управляющим р-п переходом.8.3. Расчет тока стока полевого транзистора с управляющим р-п переходом. Для расчета тока стока IC полевого транзистора с управляющим р-п переходом рассмотрим падение напряжения вдоль канала
где
Подставив (8.11) в (8.10) получим
Представим (8.12) в виде:
Уравнение (8.13) представляет собой дифференциальное уравнение первого порядка. Проинтегрируем это уравнение с учетом граничных условий:
где Подставив в (8.14) вместо
С учетом (8.9) после несложных преобразований (8.16) можно получить зависимость тока насыщения от напряжений
Если
Подставив (8.18) в (8.17) получим основное уравнение для расчета тока стока, полученное ещё в 1952 г В. Шокли:
8.4. Статические вольтамперные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом. Из приведенных расчетных соотношений для тока стока следует, что ток стока зависит от напряжений - стоко-затворные - стоковые Теоретической основой для построения семейства стоко-затворных характеристик является выражение (8.19), которое для удобства практических расчетов обычно аппроксимируют приближенной зависимостью
справедливой при На рисунке 8.4 приведены такие зависимости. Рост тока стока при
Рис.8.4. Статические стоко-затворные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом.
Семейство статических выходных или стоковых вольтамперных характеристик
Рис.8.5. Статические выходные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п переходом.
выходных характеристик можно разделить на три характерные участки. Квазилинейный участок 1, где С дальнейшим ростом напряжения на стоке при Физические процессы и вольтамперные характеристики в полевых транзисторах с управляющим р-п переходом и каналом р-типа проводимости аналогичны рассмотренным выше полевым транзисторам с каналом п-типа проводимости. Полевые транзисторы с каналом р-типа формируются на основе полупроводника р-типа с последующей диффузией донорной примеси для создания р-п переходов. Ток стока в них создается дрейфовым движением в канале основных носителей - дырок. В электрической схеме меняется полярность включения напряжений VСИ и VЗИ и направление тока стока. что статические вольтамперные характеристики полевого транзистора можно описать двумя семействами: - стоко-затворные - стоковые Теоретической основой для построения семейства стоко-затворных характеристик является выражение (8.19), которое для удобства практических расчетов обычно аппроксимируют приближенной зависимостью
справедливой при
|
|||||||
|