|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Расчёт пленочныхконденсаторов. Расчёт пленочныхконденсаторов
Фрязино 2022 Расчёт пленочныхконденсаторов Дано:
Решение: Принимаем η = 3. Масштаб чертежа топологии 20: 1. Координатная сетка – миллиметровка. 1. Для диэлектрического слоя выбираем моноокись германия с параметрами(ε = 10, tg δ = 0, 001; ЕПР =100 В/мкм; α с =5⋅ 10–4 1/град; ). Поскольку конденсатор имеет значительную емкость, выбираем тип, изображенный на рисунке 1. Рисунок 1 Выбор типа конденсатора
2. Находим толщину диэлектрика из условия dmin≥ (η ⋅ UP)/ЕПРи определяем минимальную толщину диэлектрика, обеспечивающего необходимое значение UP.
3. Далее находим удельную емкость.
4. Оцениваем относительную температурную погрешность ℵ СТ исходя и допустимую погрешность активной площади конденсатора ℵ Sдоп.
5. Определяем удельную емкость конденсатора, исходя из заданной погрешности.
6. Выбирают минимальное значение удельной емкости из условияC0 ≤ min {C0u, C0 точн}
7. По заданному значению СН и полученному значению С0 определяем коэффициент К, учитывающий краевой эффект.
Отсюда следует, что: С учетом коэффициента Копределяем площадь перекрытия обкладок конденсатора.
9. Определяют толщину d, соответствующую выбранному значению С0.
10. Определяем геометрические размеры обкладок и диэлектрика конденсатора:
С учетом шага координатной сетки:
11. Площадь, занимаемая конденсатором равна S = 2 = 7, 66мм2. 12. Топология рассчитанного конденсатора приведена на рисунке 2. Рисунок 2 Топология конденастора Примечание: 1. верхняя обкладка 2. нижняя обкладка 3. диэлектрик
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|