Гетеропереход. Выводы по разделу

Гетеропереход

Гетеропереход — это переход между двумя различными полупроводниковыми кристаллами, которые обладают различным типом электропроводимости. Очевидно, что кристаллы между которыми создан гетеропереход обладают различной шириной запрещенной зоны ( ).

а)

б)

Рис. 6. 13. Энергетическая диаграмма гетероперехода а) при нулевом смещении; б) при прямом смещении

Это приводит к тому, что потенциальные барьеры для электронов и для дырок будут различными (рис. 6. 13). Это приводит к возможности локализации носителей вблизи перехода. При приложении прямого напряжения потенциальные барьеры снизятся: электроны из n-GaAlAs будут дрейфовать в p-GaAs (рис. 6. 14). Дырки же не смогут преодолеть потенциальный барьер и поэтому останутся в p-области. Таким образом, в p-области вблизи перехода будет значительная концентрация электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне, что приведет к резкому возрастанию рекомбинации. Это явление имеет очень большое значение при создании источников оптического излучения, таких как светоизлучающие диоды и полупроводниковые инжекционные лазеры.

Выводы по разделу

p-n-переход обладает вентильными свойствами. При приложении прямого напряжения через переход течет ток, значение которого экспоненциально увеличивается при увеличении напряжения . При обратном смещении через p-n-переход течет малый ток, значение которого не зависит от приложенного напряжения и увеличивается с ростом температуры.

⇐ Предыдущая 12