|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ШПАРГАЛКА. ШПАРГАЛКАШПАРГАЛКА РАБОТА №4 Статические х-ки биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером n-p-n, кт37, кт38
Положение кнопок Входная цепь: S1– (+) обе отжаты; S2 – нажата “2” клавиша (30 ком) S3 –отжата (мкA) на пределе “300”; S6- нажата (V1) Выходная цепь: S7- нажата (V2) на пределе 30В S4–в положении “1“ (без нагрузки)
Измерения 1. входная, выходная и проходная характеристики транзистора На блоке питания (слева) имеются две черные ручки (рядом) левая - установка напряжения на базе (ток базы) правая - установка напряжения на коллекторе Выставляем Uк (V2)=const (yt более 10В), меняем ток базы IБ (от 0 до 300мкА), фиксируем изменение тока коллектора IК и UБ (по вольтметру В7-26, шкала 0, 3В) Пределы (не более): Uк =10В, IК =15мА, IБ=300мкА
Результаты измерений заносим в таблицу
- построить входную, выходную и проходную характеристики транзистора
Расчеты - рассчитать h -параметры
ШПАРГАЛКА РАБОТА №5 Ключевой и усилительный режимы биполярного транзистора с ОЭ Положение кнопок
S1– (+) обе отжаты; S2 – нажата “2” клавиша (30ком) S3 –отжата (мкA) на пределе “300”; S4–в положении “3“ (R6=1ком) S5 –отжата S6- нажата (V1-Uбазы) S7- нажата (V2) на пределе 30В Измерения 1. Амплитудная характеристика Выставляем V2 Uк< Uкmax, т. е. примерно 7-8В При UБ=0 -> IБ = 0, IК =0, далее увеличиваем напряжение на базе (ток базы) Пока транзистор не войдет в насыщение (если Uк=8В, то IКнасыщ =8 мА, при этом на коллекторе 0В
Результаты измерений заносим в таблицу
- построить Uк=f(UБ), Iк=f(IБ), 2. Подать на вход схемы синусоидальный сигнал с Г3-118, гнездо II (600Ом), ослабление 20dB и наблюдать осциллограмму с выхода схемы на С1-72 в режиме насыщения, усиления и отсечки.
Расчеты - рассчитать …..
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|