1. Исследование нановискеров GaAs

Для выявления причин контраста были проведены дополнительные исследования на просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ) и растровом электронном микроскопе Jeol JSM-7001F. Основные принципы просвечивающей электронной микроскопии изложены в [5].

Задачи:

· изучить структуру ННК: исследовать кристаллическую структуру ННК, особенности изменения формы ННК, провести элементный микроанализ и связать выявленные особенности с условиями роста;

· определить природу «контрастных» элементов на ННК выявленных на РЭМ изображениях массива ННК.

1. Исследование нановискеров GaAs

Подготовка образцов. ННК были механически перенесены (путём трения сетки об образец) на медную сетку диаметром 3, 2 мм, покрытую графитовой плёнкой. Диаметр ННК меньше 200 нм, что представляется доступных для изучения методом ПЭМ. Ускоряющее напряжение составило 200кВ (разрешение 2, 5 пм). РЭМ исследования показали, что большинство ННК лежат на сетке на гранях, в то время как наблюдение контраста было при ориентации пучка примерно на ребро ННК. Для точного определения причин контраста сравнением ПЭМ и РЭМ результатов, на сетке был найден отдельный ННК «лежащий» на ребре.

Исследование кристаллической структуры ННК, особенности изменения формы ННК, химического состава.




Рис. 3. Электронно-микроскопические изображения участков GaAs вискеров и электронные дифрактограммы от выделенных областей.


Рис. 5. СЕМ (слева) и ПЭМ (справа) изображение участка GaAs ННК.




Рис. 4. Электронно-микроскопические изображения вершин GaAs вискеров: без капли Au (слева), c каплей Au (справа) и спектры элементного микроанализа. На изображениях отмечены кристаллографические фазы идентифицированные по дифрактограммам: W – вюрцит (wurtzite), ZB – структура типа цинковой обманки (zincblende structure ).