Флёров А.Н. курс “ Электроника” Для самостоятельного изучения

Флёров А. Н. курс “ Электроника” Для самостоятельного изучения

ПРИЛОЖЕНИЕ 3

http: //ru. wikipedia. org/wiki/%C7%E0%EF%F0%E5%F9%B8%ED%ED%E0%FF_%E7%EE%ED%E0

Ширина запрещённой зоны различных материалов

Материал	Энергия в эВ 300 K
C (Алмаз)	5, 46–6, 4
Si	1, 12
Ge	0, 67
Se	1, 74
А^IVВ^IV
SiC 3C	2, 36
SiC 4H	3, 28
SiC 6H	3, 03
А^IIIВ^V
InAs	0, 355
InSb	0, 17
InN	0, 7
InxGa1-xN	0, 7–3, 37
GaN	3, 37
GaP 3C	2, 26
GaSb	0, 69
GaAs	1, 42
AlxGa1-xAs	1, 42–2, 16
AlAs	2, 16
AlSb	1, 58
AlN	6, 2
А^IIВ^VI
TiO2	3, 2
ZnO	3, 37
ZnS	3, 56
ZnSe	2, 70
CdS	2, 42
CdSe	1, 74
CdTe	1, 45
CdS	2, 4

ПРИЛОЖЕНИЕ 4

Содержание:

1. Полупроводниковые вещества. 9

2. Кристаллическая решетка. 10

3. 3D решетки Браве. 12

1. Полупроводниковые вещества

Свое название полупроводники получили благодаря тому, что по величине удельной электропроводности они занимают промежуточное положение между хорошо проводящими Электрический ток металлами (проводниками) и практически не проводящими ток диэлектриками (изоляторами). Название это далеко не исчерпывает всего многообразия свойств полупроводников, нашедших за короткое время широкое применение. Полупроводниковыми свойствами обладает большинство неорганических веществ, а также ряд органических соединений. Все вещества, . обладающие полупроводниковыми свойствами, можно разделить на две группы: элементарные полупроводники, в состав которых входят атомы только одного вида, и полупроводниковые соединения, состоящие из атомов двух и более видов.

В группу элементарных полупроводников входят 12 химических элементов, которые образуют компактную группу, расположенную в середине таблицы Д. И. Менделеева (рис. 2. 3). Цифры |в кружке справа от символа химического элемента обозначают ширину запрещенной зоны в кристалле данного химического элемента. Можно заметить, что ширина запрещенной зоны закономерно изменяется в этой группе: она возрастает в каждом периоде при переходе от элемента к элементу слева направо, она уменьшается каждой группе при переходе от элемента к элементу сверху вниз, га закономерность не является неожиданной, так как полупроводниковые свойства вещества определяются, в конечном счете структурой внешних электронных оболочек его атомов.

Вторая группа полупроводниковых веществ очень обширна, включает как неорганические, так и органические соединения. Среди них прежде всего следует отметить двойные соединения элементов третьей и пятой групп периодической системы элементов таких, как, например GаАs, InАs, GаР, GаSb, 1nSb, АlSb и др. Эти соединения, которые часто обозначают символом А^ШВ^V, по своим свойствам очень похожи на такие элементарные полупроводники, как германий и кремний, первыми получившие широкое практическое применение и поэтому наиболее хорошо изученные. Соединения А^ШВ^V широко применяются в настоящее время для изготовления различных полупроводниковых приборов. Находят практическое применение такие полупроводниковые вещества, как сульфиды, селениды, теллуриды и окислы металлов.

12 Следующая ⇒