|
||||||
3. Примесная проводимость.. а) Донорная примесь.. б) Акцепторная примесь.. 4. P-n – переход. ⇐ ПредыдущаяСтр 2 из 2 3. Примесная проводимость.
а) Донорная примесь. Рис 1 Если к 4-валентному полупроводнику (кремнию Si, германию Ge и др. ) добавить 5-валентную примесь (например, мышьяк), четыре валентных электрона образуют парно – электронные связи, а пятый электрон остается свободным. При добавлении одной десятимиллионной доли атомов мышьяка концентрация свободных электронов становится равной 1016 см-3, т. е. в 1000 раз больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны, называют донорными (отдающими). Полупроводник, имеющий донорные примеси, называют полупроводником n-типа (negative – отрицательный).
б) Акцепторная примесь.
Если в качестве примеси использовать 3-валентный индий, то для образования нормальных парно-электронных связей индию не хватит электрона, т. е. образуется дырка. Такого рода примеси называют акцепторными, а полупроводники – полупроводниками p- типа (positive – положительный).
4. P-n – переход.
Пусть два полупроводника n- и p-типов соприкасаются друг с другом. Начинается диффузия электронов в p-область, а дырок в n-область. В результате между р - и n-областями образуется контактная разность потенциалов. Электроны и дырки на границе раздела создают запирающий слой, поле которого препятствует дальнейшему переносу зарядов.
Таким образом, p-n-переход обладает односторонней проводимостью. Вольтамперная характеристика его представлена на рис 5. Рис 5
5. Полупроводниковый диод.
Полупроводник с p-n- переходом называют полупроводниковым диодом. Он обладает односторонней проводимостью, гораздо проще и надежнее в работе, чем ламповый. Его используют для выпрямления переменного тока в качестве детектора. Если примеси добавить в 20-30 раз больше, получаются т. н. туннельные диоды, которые применяются как усилители и генераторы высокой частоты.
|
||||||
|