Интегральная микросхема МН2ХА010-02четырехканального трансимпедансного усилителя для фотоприемников с высоким внутренним сопротивлением

ИСОиП (ф) ДГТУ

Минский научно-исследовательский приборостроительный институт

Предназначена для обработки сигналов высокоомных фотоприемников с внутренним сопротивлением до 1, 6 МОм, внутренней емкостью до 60 пФ. Реализована на основе базового структурного кристалла МН2ХА010, разработанного в рамках российско-белорусского сотрудничества ОАО «МНИПИ» (г. Минск) и ДГТУ (г. Ростов-на-Дону). Выпущена опытная партия (2016 г. ).

Наименование параметра, единица измерения, режим измерения	Буквенное обозначение параметра	Норма параметра		Температура среды, °С
	Буквенное обозначение параметра	не менее	не более	Температура среды, °С
Ток потребления от положительного источника питания одного канала, мА	I_СС+	–		25±10
	I_СС+	–		–60; 125
Максимальное напряжение опорного сигнала по входу ACT, В	U_REF	-5, 0	5, 0	25±10
Напряжение смещения нуля (после подстройки в нормальных условиях), мВ	U_IO	-0, 5	0, 5	25±10
	U_IO	-5, 0	5, 0	–60; 125
Коэффициент преобразования при RS = 1, 6 МОм, мВ/нА	K_IU			25±10
Коэффициент преобразования при RS = 1, 6 МОм, мВ/нА	K_IU			–60; 125
Максимальное выходное напряжение, В	U_OMAX	–2, 5	2, 5	25±10 –60; 125
Частота единичного усиления, МГц	f₁	5, 0	–	25±10

Контактная информация

Прокопенко Николай Николаевич, ДГТУ, prokopenko@sssu. ru

Дворников Олег Владимирович, ОАО «МНИПИ», oleg_dvornikov@tut. by