Микросхема радиационно-стойкого операционного усилителя ИС-3 на основе биполярно-полевого технологического

ИСОиП (ф) ДГТУ

Минский научно-исследовательский приборостроительный институт

Микросхема радиационно-стойкого операционного усилителя ИС-3 на основе биполярно-полевого технологического

процесса для датчиковых систем

В рамках российско-белорусского сотрудничества ДГТУ и ОАО «МНИПИ» (г. Минск) разработаны теоретические основы построения двухкомпонентных дифференциальных каскадов без классических источников опорного тока, а так же нового поколения полузаказных микросхем операционных усилителей на основе базового кристалла АБМК-2. 1.

Рис. 1. Примеры построения двухкомпонентных ДК

Рис. 2. Базовая схема включения двухкомпонентных ДК

Заявка на патент РФ №2015143966/08 от 13. 10. 15

Рис. 3. Упрощенный топологический чертеж ОУ ИС-3

Рис. 4. Электрическая схема ОУ ИС-3

Рис. 5. АЧХ и ФЧХ микросхемы ИС-3 при потоке нейтронов F_N = 5 × 10¹³ н/см²

	Нормальные условия	F_N = 10¹⁴ н/см²	F_N = 3× 10¹⁴ н/см²	D_G = 3 Мрад
К_у
Dj	109, 7 град	-	38, 4 град	83, 4
V_off	0, 129 мВ	-	0, 778 мВ	0, 312 мВ

Основные направления практического использования предлагаемой схемотехники ОУ – полузаказные прецизионные микросхемы интерфейсов различных датчиковых систем современной авионики, реализуемые на основе базового матричного кристалла АБМК-2. 1.

Контактная информация

Прокопенко Николай Николаевич, ДГТУ, prokopenko@sssu. ru

Дворников Олег Владимирович, ОАО «МНИПИ», oleg_dvornikov@tut. by

Старченко Е. И., Бутырлагин Н. В., Пахомов И. В., ДГТУ