|
|||
Варіант №2. Варіант №3. Варіант №4. Варіант №5. Варіант №6. Варіант №7Варіант №2 1. Схеми заміщення джерел електрорушійної сили та струму. [1, с. 31-33, 5, с. 9-11] 2. Основи фізики напівпровідників. Що таке домішкова провідність? [1, с. 101-105] 3. Дати характеристику однокаскадного підсилювача на біполярному транзисторі. [2, с. 17]
Варіант №3 1. Дати характеристику нерозгалужених ланцюгів постійного струму з одним джерелом енергії. [1, с. 63-64] 2. Структура і пряме включення електронно-діркового переходу. [1, с. 107-113] 3. Електрична схема для дослідження вольт-амперної характеристики напівпровідникового діода. [3, с. 6-7]
Варіант №4 1. Аналіз електричного стану складних ланцюгів постійного струму за допомогою законів Кірхгофа. [1, с. 65-66, с. 35-37] 2. Структура і зворотне включення електронно-діркового переходу. [1, с. 107-113] 3. Структурна схема підсилювача. Показники, які характеризують роботу підсилювача. [2, с. 71-73]
Варіант №5 1. Дати характеристику розгалужених ланцюгів постійного струму з одним джерелом енергії. [1, с. 66-68] 2. Призначення і принципи дії напівпровідникових діодів. Вольт-амперна характеристика діода. [1, с. 118-121, 2, с. 11-14] 3. Показники підсилювачів: амплітудно-частотна, фазочастотна, амплітудна характеристика. [2, с. 72-73]
Варіант №6 1. Основні параметри електричних синусоїдальних функцій. Приймачі електричної енергії. [1, с. 69-71] 2. Призначення, принцип роботи, параметри і характеристика біполярних транзисторів. [1, с. 138-140, 2, с. 15-18] 3. Класифікація інтегральних схем. Описати напівпровідникові інтегральні схеми. [2, с. 132-133]
Варіант №7 1. Дати характеристику електричних ланцюгів змінного струму з активним опором. [1, с. 72-74, 5, с. 6-7] 2. Параметри і характеристики польових транзисторів. [2, с. 19-21] 3. Класифікація інтегральних схем. Описати плівкові інтегральні схеми. [2, с. 132-133]
|
|||
|