Электронно- дырочный переход.

Электронно- дырочный переход.

Электронно-дырочный переход (или n –p -переход) – это область контакта двух полупроводников с разными типами проводимости.

При контакте двух полупроводников n- и p-типов начинается процесс диффузии: дырки из p-области переходят в n-область, а электроны, наоборот, из n-области в p-область.

Напряженность электрического поля в запирающем слое будет уменьшаться. Основные носители, двигаясь навстречу друг другу, будут пересекать n–p-переход, создавая ток в прямом направлении.

Напряженность электрического поля в запирающем слое будет увеличиваться. Ток создают неосновные носители

Способность n–p-перехода пропускать ток практически только в одном направлении используется в приборах, которые называются полупроводниковыми диодами.

Полупроводниковые диоды используются в выпрямителях для преобразования переменного тока в постоянный.

Достоинства-малые размеры, длительный срок службы, механическая прочность.

Существенным недостатком является зависимость их параметров от температуры.

Полупроводниковые приборы с двумя n–p-переходами называются транзисторами.

⇐ Предыдущая 12