Лабораторная работа №1. Измерение и исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов». Краткие сведения о полупроводниковых (ПП) диодах. l=l0(exp(U/e)-1)

Лабораторная работа №1

«Измерение и исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов»

Цель работы:научиться методике измерений вольтамперных характеристик ВАХ полупроводниковых диодов различных типов и определению основных параметров.

1. Краткие сведения о полупроводниковых (ПП) диодах

ПП диод – двухэлектродный прибор, основу которого составляет p-n переход. Одна из ПП областей, образующая p-n переход, имеет более высокую концентрацию примесей и называется эмиттер, вторая называется база. ПП разделяются по технологии изготовления, назначению, ПП материалу.

ВАХ ПП диода имеет существенную нелинейность при подключении внешнего напряжения разной полярности (рис.1). Ток через p-n переход описывается выражением:

l=l0(exp(U/e)-1)

Рис.1. ВАХ и обозначение ПП диода.

При прямом включении на анод диода (p-область) подается более положительное напряжение относительно второго вывода (катода, n-область). При этом внешнее напряжение частично компенсирует контактную разность потенциалов на электронно-дырочном переходе и сопротивление перехода уменьшается. Говорят переход «открыт». Противоположное включение внешнего напряжения на диоде (обратное) увеличивает контактную разность потенциалов p-n перехода и уменьшает диффузию основных носителей заряда (инжекцию), сопротивление перехода увеличивается. Говорят переход «закрыт». У современных диодов R_обр/R_пр=10³-10⁷.

12 3 Следующая ⇒