|
||||||||||||||||||||
Тип анализа: по постоянному току.
Санкт – Петербургский Государственный Политехнический Университет Институт Физики, Нанотехнологий и Телекоммуникаций
Отчёт по лабораторной работе № 2 “Статические характеристики биполярного транзистора”
Студент: Бибиков В.А. Группа: в53425/2 Преподаватель: Енученко М. С.
Санкт – Петербург
Тип анализа: по постоянному току. Схемы: - Для моделирования входной и выходной ВАХ транзистора
Параметры моделей схемы Входные параметры: Q1= ZXT10N20DE6; R2 =0,1 Ом; V1 = 5 В; V2 =5 В; I1 = 5 A.
- 2 - При изменении всех параметров использовался линейный шаг, стрелки на графиках указывают направление увеличения изменяемого параметра
1)Re [0,01 Ом…0,03 Ом] шаг 0,01 Ом Выходные
Входные
- 3 - 2) Bf [300 …900] шаг 300 Выходные
Входные Bf [300…900] шаг 300
- 4 - 3) Is [0,03 пА … 0,09 пА] шаг 0,03 пА Выходные
Входные
- 5 - 4) Vaf [3 В… 9 В] шаг 3 В Выходные
Входные Vaf [0,3 В… 0,9 В] шаг 0,3 В
- 6 - 5) Nf [ 0,3 … 0,9] шаг 0,3 Выходные
Входные
- 7 - Uбэ = nf* 0.026 ln(Iк/Is+1) Где: Uбэ – прямое напряжение между базой и эмиттером Nf – Коэффициент неидеальности в нормальном режиме Iк – ток коллектора Is - ток насыщения Nf обычно чуть больше единицы
- 8 -
|
||||||||||||||||||||
|