Хелпикс

Главная

Контакты

Случайная статья





КЛАСИЧНА ТА. КВАНТОВА. ОПТИКА. ОСНОВИ СТАТИСТИЧНОЇ ФІЗИКИ ТА ТЕРМОДИНАМІКА. ФІЗИКА ТВЕРДОГО ТІЛА



КЛАСИЧНА ТА

КВАНТОВА

ОПТИКА

(ауд. 311)

4.1. Визначення довжини світлової хвилі методом інтерференційних кілець Ньютона.
29. 4.2. Визначення сталої Планка з явища фотоефекту.
30. 4.3. Визначення довжини хвилі світла за допомогою дифракційної гратки.
31. 4.4. Дослідження поляризованого світла та перевірка закону Малюса.
32. 4.5. Визначення сталої Стефана-Больцмана.
33. 4.6. Визначення концентрації оптично активної речовини (цукру) в розчині.
34. 4.7. Вивчення дифракції на одно- і двовимірній дифракційних гратках у лазерному промені
35. 4.8. Визначення кута розходження лазерного променя та розподілу енергії в ньому.
36. 4.9. Експериментальне вивчення закону поглинання світла ( Бугера-Ламберта).
37. 4.10. Визначення довжини хвилі лазерного випромінювання метеодом Юнга.
38.

ОСНОВИ СТАТИСТИЧНОЇ ФІЗИКИ ТА ТЕРМОДИНАМІКА

(ауд. 304)

5.1. Визначення коефіцієнта в’язкості рідини методом Стокса.
39. 5.2. Визначення коефіцієнта теплопровідності діелектриків методом регулярного режиму.
40. 5.3. Визначення ентропії при нагріванні та плавленні олова.
41. 5.4. Визначення середньої довжини вільного пробігу та ефективного діаметру молекул повітря.
42. 5.5. Визначення відношення g = СзV  для повітря.
43. 5.6. Визначення середнього коефіцієнта лінійного розширення методом Д.І. Менделєєва
44. 5.7. Визначення коефіцієнта теплопровідності повітря
45.

ФІЗИКА ТВЕРДОГО ТІЛА

(ауд. 306)

6.1. Тунельний діод.
46. 6.2. Знімання статистичних характеристик напівпровідникового тріоду.
47. 6.3. Визначення ширини забороненої зони.
48. 6.4. Вивчення принципу роботи та параметрів напівпровідникового стабілітрону.
49. 6.5. Дослідження властивостей фотоелементу.
50. 6.6. Вивчення залежності ВАХ напівпровідникових діодів від температурного режиму
51. 6.7. Визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових фотоелементах.
52. 6.8. Вивчення властивостей напівпровідникового тиристору
53. 6.9. Дослідження характеристик напівпровідникового матеріалу за допомогою ефекту Хола
54. 6.10. Вивчення властивостей польового напівпровідникового транзистора
55. 6.11. Дослідження ємнісних властивостей p-n- переходу

 



  

© helpiks.su При использовании или копировании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.