Элементная база электроники. В.М. Харченко. Основы электроники. М.: Энергоиздат, 1982

Элементная база электроники

В.М. Харченко. Основы электроники. М.: Энергоиздат, 1982

1. Полупроводники. Общие представления. (С 52- 57)

2. Дрейфовые и диффузионные токи. P-n – переход. (Процессы на контакте полупроводников р и n – типов. Пространственный заряд. P-n – переход при прямом и обратном смещение. Инжекция и экстракция. ВАХ р-n – перехода. Барьерная и диффузионная емкости. Пробой р-n – перехода). С 57- 65.

3. Полупроводниковые диоды. С 65- 74.

4. Биполярные транзисторы (БТ). параметры (Устройство и принцип действия. Реальные конструкции бездрейфовых (сплавные) и дрейфовых (планарная технология) биполярных транзисторов). С. 74 – 78 + Батушев, С 94-97.

5. Важнейшие параметры т-ра. Усилительные свойства. Схемы включения БТ. Статические входные и выходные вольтамперные характеристики (ВАХ) для схемы включения БТ с общей базой (ОБ) и общим эмиттером(ОЭ). 78- 88 + Батушев, С 98-102

H – параметры. Батушев, С 129-131.

6. Полевые транзисторы с управляющим p-n- переходом (ПТУП) (Устройство и принцип действия. Реальные конструкции ПТУП. Важнейшие параметры т-ра. Усилительные свойства. Статические входные и выходные вольтамперные характеристики (ВАХ)) С. 88-92. +Батушев 183-189

7. Полевые транзисторы с изолированным затвором типа металл-диэлектрик - полупроводник (МДП) (Устройство и принцип действия. Реальные конструкции МДП транзисторов. Важнейшие параметры т-ра. Усилительные свойства. Статические входные и выходные вольтамперные характеристики (ВАХ)) С. 92-95. +Батушев 197-203