В место биполярного транзистора VT1 можно применить MOSFET транзистор. Подойдут такие транзисторы как IRF540, IRFS640, IRFZ44N, IRF3205 и аналогичные по параметрам транзисторы.

Теперь несколько слов об эксплуатации устройства. При переносе электрошока лучше воспользоваться выключателем SA1 для снятия питания — это исключит работу устройства при случайном нажатии кнопки SB1, например в кармане. Не рекомендуется включать электрошок в условиях высокой влажности, чтобы самому не попасть под напряжение дугового разряда. Кроме того, так как для транзистора VT1 не установлен теплоотводящий радиатор (нет свободного места в корпусе), не рекомендуется включать устройство на непрерывную работу в течение времени более 1 мин (обычно в этом и нет необходимости). Следует также знать, что обычная одежда не является препятствием для проникновения дуги.

Примечание:

При замене биполярного транзистора на MOSFET транзистор мощность схемы вырастит примерно в 20 раз. Так же хотелось бы отметить то, что взамен высоковольтного конденсатора на 200 nF 1000V можно применить конденсатор с маркировкой MKP – X2 0.22µ ~275V. Такие конденсаторы по постоянному напряжению могут выдерживать до 2000 вольт. А обнаружить их можно в помехоподавляющих цепях например в практически любом блоки питания.

⇐ Предыдущая 12