Лекция №28. Тема: Транзисторы. Классификация транзисторов. Биполярные транзисторы

Стр 1 из 4Следующая ⇒

Лекция №28

Тема: Транзисторы

План

1. Классификация транзисторов

2. Биполярные транзисторы

3. Принцип действия р-п-р транзистора.

4. Полевые транзисторы

Классификация транзисторов

В зависимости от принципа действия и конструктивных признаков транзисторы подразделяются на два больших класса: биполярные и полевые.

Биполярные транзисторы

Биполярными транзисторами называют полупроводниковые приборы с двумя или несколькими взаимодействующими электрическими p-n-переходами и тремя выводами или более, усилительные свойства которых обусловлены явлениями инжекции и экстракции неосновных носителей заряда.

В настоящее время широко используют биполярные транзисторы с двумя p-n-переходами, к которым чаще всего и относят этот термин. Они состоят из чередующихся областей (слоев) полупроводника, имеющих электропроводности различных типов. В зависимости от типа электропроводности наружных слоев различают транзисторыр-п-р иn-p-n-типов.

Транзисторы, в которых p-n-переходы создаются у поверхностей соприкосновения полупроводниковых слоев, называют плоскостными

Биполярный транзистор представляет собой кристалл полупроводника, состоящий из трех слоев с чередующейся проводимостью и снабженный тремя выводами (электродами) для подключения к внешней цепи.

На рис. 1.5, а и б показано схемное обозначение двух типов транзисторовр-п-р-типа ип-р-п-типа. Крайние слои называютэмиттером (Э) иколлектором (К), между ними находитсябаза (Б). В трехслойной структуре имеются дваp-nперехода:эмиттерный переход между эмиттером и базой иколлекторный переход между базой и коллектором. В качестве исходного материала транзисторов используют германий или кремний.

При изготовлении транзистора обязательно должны быть выполнены два условия:

1. толщина базы (расстояние между эмиттерным и коллекторным переходами) должна быть малой по сравнению с длиной свободного пробега носителей заряда;

2. концентрация примесей (и основных носителей) заряда в эмиттере должна быть значительно больше, чем в базе (N_a>>N_Д вр-п-р транзисторе).

12 3 4 Следующая ⇒