Главная

Контакты

Случайная статья

• Автоматизация
• Антропология
• Археология
• Архитектура
• Биология
• Ботаника
• Бухгалтерия
• Военная наука
• Генетика
• География
• Геология
• Демография
• Деревообработка
• Журналистика
• Зоология
• Изобретательство
• Информатика
• Искусство
• История
• Кинематография
• Компьютеризация
• Косметика
• Кулинария
• Культура
• Лексикология
• Лингвистика
• Литература
• Логика
• Маркетинг
• Математика
• Материаловедение
• Медицина
• Менеджмент
• Металлургия
• Метрология
• Механика
• Музыка
• Науковедение
• Образование
• Охрана Труда
• Педагогика
• Полиграфия
• Политология
• Право
• Предпринимательство
• Приборостроение
• Программирование
• Производство
• Промышленность
• Психология
• Радиосвязь
• Религия
• Риторика
• Социология
• Спорт
• Стандартизация
• Статистика
• Строительство
• Технологии
• Торговля
• Транспорт
• Фармакология
• Физика
• Физиология
• Философия
• Финансы
• Химия
• Хозяйство
• Черчение
• Экология
• Экономика
• Электроника
• Электротехника
• Энергетика

Биполярные транзисторы. Выполненную работу отправлять на эл. адрес: SILKIN_SP@mail.ru или ВК.

Биполярные транзисторы

Литература:

1. Бутырин П.А. Основы электротехники: учебник для студентов средних и высших учебных заведений профессионального образования по направлениям электротехники и электроэнергетики / П.А. Бутырин, О.В. Толчеев, Ф.Н. Шакирзянов; под ред. П.А. Бутырина. — М.: Издательский дом МЭИ, 2014. — 360 с.: ил.

2. Миленина, С. А. Электротехника : учебник и практикум для СПО / С. А. Миленина ; под ред. Н. К. Миленина. — 2-е изд., перераб. и доп. — М. : Издательство Юрайт, 2018. — 263 с. — (Серия : Профессиональное образование). — ISBN 978-5-534-05793-5.

Выполненную работу отправлять на эл. адрес: SILKIN_SP@mail.ru или ВК.

1. Поясните термин «биполярный» транзистор. Изобразите УГО и устройство плоскостного биполярного транзистора. Укажите полярности напряжения на переходах и структуре транзистора n-p-n и p-n-p-типа для различных режимов работы транзистора.

2. Поясните принцип действия биполярного транзистора.

3. Приведите схемы включения транзистора ОБ, ОК и ОЭ. Как на практике определяется схема включения транзистора?

4. Приведите математические соотношения, устанавливающие связь между токами в биполярном транзисторе? Что такое I_к0 и I_к0(э) ? Как эти параметры определяются на практике?

5. Поясните входные и выходные вольт-амперные характеристики транзистора в схемах ОЭ и ОБ.

6. Приведите схемы замещения биполярного транзистора в физических параметрах для схем ОЭ и ОБ. Опишите элементы, входящие в их состав.

7. Как влияет температура на характеристики и параметры биполярного транзистора? Чем вызвано снижение усиления, даваемое биполярным транзистором на высоких частотах?

8. Нарисуйте выходные характеристики биполярного транзистора в схеме ОЭ. Укажите области, характерные для различных режимов работы прибора. Приведите схемы замещения транзистора в режиме насыщения и отсечки. Объясните как перевести транзистор в эти режимы.

9. Объясните значение терминов «полевой» и «униполярный» в названии типа транзисторов. Поясните устройство, УГО и принцип действия транзистора с управляющим p-n-переходом.

10. Поясните стоковые и стоко-затворные вольт-амперные характеристики полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.

11. Поясните устройство и условные графические обозначения полевых транзисторов с изолированным затвором со встроенным и индуцированным каналом. Каковы различия в принципе действия этих транзисторов?

12. Поясните выходные (стоковые) и стоко-затворные характеристики МДП-транзисторов со встроенным и индуцированным каналом.

13. Приведите схему замещения полевого транзистора в физических параметрах. Как определить физические параметры схемы по ВАХ транзистора?

14. Изобразите схемы включения полевого транзистора ОИ, ОС, ОЗ. Почему они так называются? Перечислите достоинства полевых транзисторов перед биполярными.

15. Поясните устройство и ВАХ диодного тиристора (динистора).

16. Поясните устройство и ВАХ триодного тиристора (тринистора) и симистора.

17. Приведите схему тиристорного регулятора мощности, диаграммы работы. Поясните диаграммы и принцип действия.

Задачи

1. Транзистор n-p-n-типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме  работает транзистор, если:

а) U_бэ= -2В,  U_кэ=12В;   б) U_бэ=0.6В, U_кэ=12В;  в) U_бэ=0.4В, U_кэ=0.1В.  Ответ

аргументируйте.

2. Транзистор p-n-p-типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если:

а) U_бэ= 0.4В , U_кэ= -12В ; б) U_бэ= -0.3В , U_кэ= -0.15В ; в) U_бэ= 0, 2В , U_кэ= -12В . Ответ аргументируйте.

3. Транзистор n-p-n-типа включен по схеме ОБ. Определите напряжение U_кэ , если U_кб=10В , а U_эб= -0.26В.В каком режиме находится транзистор?

4. Рассчитайте напряжение U_кб p-n-p-транзистора, включенного по схеме ОЭ. Известно:

U_кэ= -10В, U_бэ= -0.35В.В каком режиме работает транзистор?

5. Транзистор n-p-n-типа работает в активном режиме. Определите I_к , I_э , β транзистора, если

I _б= X ,α = Y.

6. В схеме ОЭ на граничной частоте X статический коэффициент передачи тока базы транзистора равен Y. Определить граничную частоту работы транзистора, если его включить по схеме ОБ.

7. Транзистор включен по схеме ОБ. На граничной частоте X коэффициент передачи тока эмиттера составляет Y. Рассчитать граничную частоту работы транзистора при включении его по схеме ОЭ.

8. Транзистор n-p-n-типа включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме. Рассчитайте приближенное значение дифференциального сопротивления эмиттерного перехода при постоянном токе эмиттера X и температуре Y⁰С .

9. Транзистор включен по схеме ОЭ. Известно: I_б=XмкА , I_к=YмА , I_к0=ZмкА . Определить коэффициенты передачи тока базы и эмиттера.

10. В схеме ОЭ коллекторный ток транзистора составляет X, а обратный ток коллекторного перехода – Y , коэффициент передачи тока базы – Z. Определить: а) I_б ; б) I_э ; в) α .

11. В схеме ОЭ транзистор n-p-n-типа работает в активном режиме. Известно, что α =X , I_к0=Y . Найти коллекторный ток транзистора при обрыве базовой цепи.

12. Определить дифференциальное сопротивление коллекторного перехода и коэффициент передачи тока базы, если выходная проводимость равна X, а коэффициент передачи тока эмиттера – Y.

13. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитайте напряжение U_кб , если

известно, что R_э=X , R_к=Y , E_к=Z , U_вх= -N , α = M . Определите схему включения транзистора и обоснуйте ответ.

+Eк

R_э    VT

R_к

14. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Известно, что R_э=X , R_к=Y , R_б=Z ,

E_к= N , U _вх= M , α =W . Рассчитать I_к, U_кб.Определите схему включения транзистора.

Обоснуйте ответ.

15. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитать напряжение U_кэ , если

R_б= X , R_к= Y , U _вх= -Z , E_к= N , β = M . Определить схему включения транзистора.

Обоснуйте ответ.

 -E_к

^Rк

R_б ^VT

^Uвых

^Uвх

16. Транзистор работает на частоте X в схеме ОБ. Выходная проводимость транзистора Y, а емкость коллекторного перехода – Z. Во сколько раз активное сопротивление коллекторного перехода больше его емкостного сопротивления?

17. Емкость коллекторного перехода транзистора в схеме ОЭ составляет X, коэффициент передачи тока эмиттера – Y. Рассчитать величину емкости коллекторного перехода транзистора в схеме ОБ.

18. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме ОЭ равен X, а граничная частота передачи тока – Y. Вычислить значение и фазу коэффициента передачи тока на граничной частоте.

19. В схеме ОБ статический коэффициент передачи тока эмиттера равен X, а граничная частота передачи тока Y. Определить коэффициент передачи тока базы на частоте Z для этого транзистора, включенного по схеме ОЭ.

20. Транзистор работает в режиме насыщения. Определить степень насыщения транзистора, если

R_к= X , R_б= Y , E_к=Z , U _вх= -N ,β = M , I _к0= G .

 -E_к

R_к

R_б      ^VT

^Uвх

21. Определить в каком режиме (насыщения или активном) работает транзистор. Как перевести

транзистор в другой режим? Известно: E_к=X , R_к=Y , R_б=Z , β = N , I_к0=M .

 -E_к

R_к

^Rб

VT

22. Транзистор находится в режиме отсечки. Проверьте данное утверждение.      E_к= X , E_см= Y ,

R_к= Z , R_б= N , R = M ,β = G , I _к0= J , U _вх= -L .

 -E_к

R_к

R_б      ^VT

^Uвх

R

 ^+Eсм

23. В области насыщения крутизна полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом

p-типа составляетXмА/В при напряжении U _зи= Y и U _си= -Z .Рассчитать крутизнутранзистора при U_зи=J , если U_зи0=G .

24. Определить напряжение U_зи и крутизну стоко-затворной характеристики S полевого

транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа, если известны U_зи0=X , I_с0=Y ,

I _с= Z .

Задачи

2. Транзистор n-p-n-типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если:

а) U_бэ= -2В,  U_кэ=12В;   б) U_бэ=0.6В, U_кэ=12В;  в) U_бэ=0.4В, U_кэ=0.1В.  Ответ

аргументируйте.

4. Транзистор p-n-p-типа включен по схеме ОЭ. В каком режиме работает транзистор, если:

а) U_бэ= 0.4В , U_кэ= -12В ; б) U_бэ= -0.3В , U_кэ= -0.15В ; в) U_бэ= 0, 2В , U_кэ= -12В . Ответ аргументируйте.

5. Транзистор n-p-n-типа включен по схеме ОБ. Определите напряжение U_кэ , если U_кб=10В , а U_эб= -0.26В.В каком режиме находится транзистор?

4. Рассчитайте напряжение U_кб p-n-p-транзистора, включенного по схеме ОЭ. Известно:

U_кэ= -10В, U_бэ= -0.35В.В каком режиме работает транзистор?

5. Транзистор n-p-n-типа работает в активном режиме. Определите I_к , I_э , β транзистора, если

I _б= X ,α = Y.

14. В схеме ОЭ на граничной частоте X статический коэффициент передачи тока базы транзистора равен Y. Определить граничную частоту работы транзистора, если его включить по схеме ОБ.

15. Транзистор включен по схеме ОБ. На граничной частоте X коэффициент передачи тока эмиттера составляет Y. Рассчитать граничную частоту работы транзистора при включении его по схеме ОЭ.

16. Транзистор n-p-n-типа включен по схеме ОЭ и работает в активном режиме. Рассчитайте приближенное значение дифференциального сопротивления эмиттерного перехода при постоянном токе эмиттера X и температуре Y⁰С .

17. Транзистор включен по схеме ОЭ. Известно: I_б=XмкА , I_к=YмА , I_к0=ZмкА . Определить коэффициенты передачи тока базы и эмиттера.

18. В схеме ОЭ коллекторный ток транзистора составляет X, а обратный ток коллекторного перехода – Y , коэффициент передачи тока базы – Z. Определить: а) I_б ; б) I_э ; в) α .

19. В схеме ОЭ транзистор n-p-n-типа работает в активном режиме. Известно, что α =X , I_к0=Y . Найти коллекторный ток транзистора при обрыве базовой цепи.

20. Определить дифференциальное сопротивление коллекторного перехода и коэффициент передачи тока базы, если выходная проводимость равна X, а коэффициент передачи тока эмиттера – Y.

21. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитайте напряжение U_кб , если

известно, что R_э=X , R_к=Y , E_к=Z , U_вх= -N , α = M . Определите схему включения транзистора и обоснуйте ответ.

+Eк

R_э    VT

R_к

14. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Известно, что R_э=X , R_к=Y , R_б=Z ,

E_к= N , U _вх= M , α =W . Рассчитать I_к, U_кб.Определите схему включения транзистора.

Обоснуйте ответ.

16. Кремниевый транзистор работает в активном режиме. Рассчитать напряжение U_кэ , если

R_б= X , R_к= Y , U _вх= -Z , E_к= N , β = M . Определить схему включения транзистора.

Обоснуйте ответ.

 -E_к

^Rк

R_б ^VT

^Uвых

^Uвх

21. Транзистор работает на частоте X в схеме ОБ. Выходная проводимость транзистора Y, а емкость коллекторного перехода – Z. Во сколько раз активное сопротивление коллекторного перехода больше его емкостного сопротивления?

22. Емкость коллекторного перехода транзистора в схеме ОЭ составляет X, коэффициент передачи тока эмиттера – Y. Рассчитать величину емкости коллекторного перехода транзистора в схеме ОБ.

23. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме ОЭ равен X, а граничная частота передачи тока – Y. Вычислить значение и фазу коэффициента передачи тока на граничной частоте.

24. В схеме ОБ статический коэффициент передачи тока эмиттера равен X, а граничная частота передачи тока Y. Определить коэффициент передачи тока базы на частоте Z для этого транзистора, включенного по схеме ОЭ.

25. Транзистор работает в режиме насыщения. Определить степень насыщения транзистора, если

R_к= X , R_б= Y , E_к=Z , U _вх= -N ,β = M , I _к0= G .

 -E_к

R_к

R_б      ^VT

^Uвх

22. Определить в каком режиме (насыщения или активном) работает транзистор. Как перевести

транзистор в другой режим? Известно: E_к=X , R_к=Y , R_б=Z , β = N , I_к0=M .

 -E_к

R_к

^Rб

VT

22. Транзистор находится в режиме отсечки. Проверьте данное утверждение.      E_к= X , E_см= Y ,

R_к= Z , R_б= N , R = M ,β = G , I _к0= J , U _вх= -L .

 -E_к

R_к

R_б      ^VT

^Uвх

R

 ^+Eсм

24. В области насыщения крутизна полевого транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом

p-типа составляетXмА/В при напряжении U _зи= Y и U _си= -Z .Рассчитать крутизнутранзистора при U_зи=J , если U_зи0=G .

25. Определить напряжение U_зи и крутизну стоко-затворной характеристики S полевого

транзистора с управляющим p-n-переходом и каналом n-типа, если известны U_зи0=X , I_с0=Y ,

I _с= Z .