Усилители на биполярных транзисторах
Усилители на биполярных транзисторах
Ku≈10-100
Ki=1
Ks=10-100
Rвх=1-10 Ом
Rвых=  -  Ом
| | Ku=10- 
Ki=10-
Ks= - 
Rвх=100-  Ом
Rвых=1000- Ом
| | | Ku=1
Ki=10-100
Ks=10-100
Rвх= - Ом
Rвых=100- Ом
| | С питанием входных ивыходных цепей от отдельных источников питания
Один источник постоянного напряжения
| | | | | | | | Ku≈10-100
Ki=1
Ks=10-100
Rвх=1-100 Ом
Rвых= - Ом
| | | | Ku=1
Ki=10-100
Ks=10-100
Rвх= - Ом
Rвых=100- Ом
| | | | | Ku=10-
Ki=10-
Ks= -
Rвх=100- Ом
Rвых=1000- Ом
| | | |
С общей базой (рис. 5.6; 5.9), с общим эмиттером (рис. 5.7; 5.10),
с общим коллектором (рис. 5.8; 5.11)
Рис. 5.12 и 5.13 схемы однокаскадных усилителей на биполярных транзисторах
n-p-n и p-n-p типов с коллекторной температурной стабилизацией режима работы
транзистора
| | | Uбэ=UR2 - URэ RС2<<R2
t˚↑ Iб↑ Iэ↑ Iк↑ RС2<Rвх,
Iдел>>Iб где Rвх - у следующего каскада
UR2≈ const
URэ ↑ Rэ= const * (По постоянному току)
Uбэ↓Iб↓Iк↓
RСэ<<Rэ, т.е.  >10
| |
Рис. 5.14 и 5.15 схемы однокаскадных усилителей на биполярных транзисторах
n-p-n и p-n-p типов сэмиттерной температурной стабилизацией режима работы транзистора
| t˚↑ Iб1↑ Iк1↑
Uбк↓ Iб2↓ Iк2↓
URэ ↓ Iб1→ Iб1(нач.знач.)
Uпит.Общее для VT1 и VT2 относительно общей точки.
| |
Двухкаскадные усилители с непосредственной связью между транзисторами (рис. 5.16)
| Параметр
| Схема ОЭ
| Схема ОБ
| Схема ОК
| | коэффициент усиления по току
| Десятки-сотни
| Немного меньше единицы
| Десятки-сотни
| | коэффициент усиления по напряжению
| Десятки-сотни
| Десятки-сотни
| Немного меньше единицы
| | коэффициент усиления по мощности
| Сотни-
десятки тысяч
| Десятки-сотни
| Десятки-сотни
| | Входное
сопротивление
| Сотни ом – единицы килоом
| Единицы-
десятки ом
| Десятки –
сотни килоом
| | Выходное
сопротивление
| Единицы – десятки килоом
| Сотни килоом – единицы мегаом
| Сотни ом –
единицы килоом
|
Усилители на полевых транзисторах
С общим истоком (рис. 5.17), c общим затвором (рис. 5.18) и
| КонденсаторCИ устраняет отрицательную обратную связь по переменномунапряжению.
Требования к RЗвыбираются:
Требование 1:
RЗ↑ Rвх↑ t˚↑, рабочая точка ПТ=var
Требование 2:
обратно смещенный p-n переход канал-затвор транзисторапротекает ток около 1 нА
RЗ =1 МОм(транзистор заперт)
| | с общим стоком (рис. 5.19)
Рис. 5.20. Схема усилительного каскада, в котором используется один источник питания
|
