Схеми включення Біп-транзисторів

33. Схеми включення Біп-транзисторів

Біполярний транзистор - це напівпровідниковий прилад з двома взаємодіючими р-n-переходами, сформованими у межах одного монокристала, що володіє підсилювальними властивостями за рахунок явищ інжекції та екстракції неосновних носіїв заряду.

Залежно від типу спільного електрода, відносно якого відраховується потенціал, розрізняють три схеми під'єднання транзисторів: схема зі спільною базою (СБ), схема зі спільним емітером (СЕ) і схема зі спільним колектором (СК)

Схема зі СБ характеризується, порівняно зі схемами із СК і СЕ, найнижчим і найвищим вихідними опорами. У схемі зі СБ коефіцієнт підсилення по струму K₁< 1, коефіцієнт підсилення по напрузі К_U>1.

Схема зі СЕ характеризується відносно високим вхідним і вихідним опорами, К_I> 1, К_U< 1. Схема зі СК характеризується найвищим вхідним і найнижчим вихідним опорами та К_I> 1, К_U< 1. Найбільше використання знаходить схема зі СЕ. Для схеми зі СБ коефіцієнт підсилення по струму не відбувається, однак транзистор зі СБ дає змогу отримати велике підсилення по напрузі.