Структура интегрированного Шоттки-рn диода на основе карбида кремния

Структура интегрированного Шоттки-рn диода на основе карбида кремния

1 - подложка; 2- эпитаксиальный слой; 3 - плавающие охранные кольца; 4 - подконтактная p-n структура (JBS-структура); 5 - слой SiO₂; 6 - контакт Шоттки; 7 - основной охранный переход; 8 - омический контакт.

Сильнолегированная подложка изготовлена из карбида кремния n-типа. Её сопротивление равно 0,015 Ом×см.

Эпитаксиальный слой выполнен из карбида кремния n-типа толщиной 12 мкм с концентрацией примеси 1×10¹⁵ см^-3.

Плавающие охранные кольца имеют ширину 50 мкм, глубина колец равна 2 мкм с имплонтированной дозой 9×10¹³.

Кольца JBS-структуры имеют ширину 8 мкм, интервал 10 мкм и глубину 2 мкм.

Толщина слоя SiO₂ составляет 300 нм.

Основной охранный переход имеет глубину 2 мкм, имплантированная доза равна 9×10¹³ см^-2.