|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Домашнее задание по теме Газовый разряд в современной микро- и нанотехнологии.Домашнее задание по теме "Газовый разряд в современной микро- и нанотехнологии." 1. Материал к самостоятельному изучению 1. В качестве домашнего задания к шестому занятию (Термическое вакуумное напыление) самостоятельно изучаются разделы учебника В.И. Марголин, В.А. Жабрев, В.А. Тупик Физические основы микроэлектроники: Учебник для студ. высш. учеб. заведений.- М.: Издательский центр "Академия, 2008.- 400 с." Глава 4, раздел 4.2 2. Самостоятельно изучить предложенный преподавателем файл 3. Рассчитать при какой температуре возможна спонтанная ионизация нейтрального атома. Е1 – первый потенциал ионизации, Е2 – второй потенциал ионизации, Е3 – третий потенциал ионизации. Рассчитать, какой температуре соответствует энергия сродства к электрону ЕА. Рассчитать, какую энергию теряет электрон с энергией Е0, столкнувшись с атомом М.
I - Материал II – Потенциал ионизации III – Диаметр подложки - мм IV – Расстояние испаритель – подложка - мм
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|