Паспорт к базе тестовых заданий

Методы бесконтактной диагностики материалов

Турдыбеков К.М.

$$$ 1

Частота монохроматического излучения, испускаемого или поглощаемого атомом:

+A) .

B) .

C). .

D) .

E) .

$$$ 2

Спин электрона в единицах в полупроводниковых материалах составляет:

+A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 3

Для какого типа связи характерно: электроны, принадлежащие внешней оболочке, могут притягиваться посторонними атомами, перемещаясь от атома к атому:

A) Для молекулярной связи.

+B) Для водородной связи.

C) Для ковалентной связи.

D) Для металлической связи.

E) Для ионной связи.

$$$ 4

Найти индексы Миллера плоскости, отсекающей на координатных осях отрезки 1/3 , 2, ½:

A) (1, 2, 6).

B) (5, 2, 1).

C) (6, 4, 1).

+D) (6, 1, 4).

E) (3, 1/2, 2).

$$$ 5

Существенное влияние на механизм теплопроводности в металлах оказывают:

A) Винтовые дислокации

B) Свободные электроны

C) Краевые дислокации

+D) Связанные электроны

E) Примесные атомы

$$$ 6

Краевая дислокация формируется как:

A) Лишнюю атомную плоскость в кристалле.

B) Сдвиг одной части кристалла относительно другой части на два межатомных расстояния.

+C) Лишнюю атомную полуплоскость в кристалле.

D) Кванты колебаний электронной плазмы в металлах и полупроводниках.

E) Сдвиг одной части кристалла относительно другой части на одно межатомное расстояние.

$$$ 7

Теорема Нернста представляет собой:

A) Закон сохранения момента импульса.

+B) Третье начало термодинамики.

C) Закон сохранения энергии.

D) Первое начало термодинамики.

E) Второе начало термодинамики.

$$$ 8

При вычислении электропроводности в полупроводниках достаточную точность обеспечивает:

A) Четырехчленная формула.

B) Двучленная формула.

C) Количество слагаемых не имеет значения.

+D) Одночленная формула.

E) Трёхчленная формула.

$$$ 9

Движение каких частиц или их комплексов обеспечивает возникновение релаксационной поляризации:

A) Упругое смещение иона из своего равновесного положения во внешнем поляризующем поле.

+B) Возникновение электрических зарядов на поверхности раздела в неоднородных системах.

C) Срыв иона или диполя с места своего закрепления тепловым движением в присутствии поляризующего поля.

D) Малые повороты диполей во внешнем поляризующем поле.

E) Малые колебания диполей во внешнем поляризующем поле.

$$$ 10

Поляризация, обусловленная малыми колебаниями ионов, возникает при частотах внешнего электрического поля:

A) Близких к ультрафиолетовым.

B) Лежащих в видимой области.

C) Лежащих в рентгеновской области.

+D) Лежащих в радиодиапазоне.

E) Близких к инфракрасным.

$$$ 11

Расчет зависимости мнимой части диэлектрической проницаемости от вещественной с помощью двухъямной модели релаксационной поляризации приводит к диаграммам:

A) Коула-Негами.

B) Коула-Коула с центром, лежащим на оси вещественной части комплексной диэлектрической проницаемости.

C) Коула-Коула.

+D) Фьюса-Кирквуда.

E) Гаврильяк-Негами.

$$$ 12

Каким образом двухъямная модель поляризации позволяет разрабатывать новые изоляционные материалы с заданными свойствами:

+A) Путем вычисления тангенса угла диэлектрических потерь.

B) Путем вычисления термостимулированного тока деполяризации при исследовании двухъямной модели в постоянном поляризующем поле.

C) Путем теоретических оценок параметров релаксаторов в рамках двухъямной модели.

D) Путем вычисления тока переполяризации при исследовании двухъямной модели в переменном поле.

E) Путем компьютерного сравнения теоретических и экспериментальных диэлектрических спектров и расчета на этой основе параметров релаксаторов

$$$ 13

Кинетическое уравнение протонной релаксации в рамках двухъямной модели представляет собой:

A) Уравнение типа Фоккера-Планка.

+B) Дифференциальное кинетическое уравнение в частных производных.

C) Систему из n дифференциальных уравнений первого порядка.

D) Уравнение Навье-Стокса.

E) Обыкновенное дифференциальное уравнение.

$$$ 14

Кинетическое уравнение протонной релаксации в рамках двухъямной модели имеет вид:

А) .

B) .

+C) .

D) .

E) .

$$$ 15

Поляризованность представляет собой:

A) Величину электрического момента кристалла.

+B) Напряженность локального поля.

C) Электрическую прочность диэлектрика.

D) Плотность дипольного момента.

E) Напряженность поляризующего поля.

$$$ 16

Время максвелловской релаксации из двухъямной модели:

A) .

B) .

C) .

+D) .

E) .

$$$ 17

Время протонной релаксации при учете двух положений закрепления релаксаторов:

A) .

B) .

+C) .

D) .

E) .

$$$ 18

Тангенс угла диэлектрических потерь определяется формулой:

A) .

+B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 19

Уравнение Клаузиуса-Мосотти имеет вид:

А) .

B) .

C) .

+D) .

E) .

$$$ 20

Тангенс угла диэлектрических потерь определяется формулой:

A) .

+B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 21

На рисунке показана температурная зависимость молекулярной поляризуемости молекулы воды. Вода находится в газообразном состоянии. Найдите дипольный момент молекулы:

+A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 22

Электрическая добротность выражается через угол сдвига фаз следующим образом:

A) .

+B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 23

Кинетическое уравнение упруго-электронной поляризации в локальном роле имеет вид:

A) .

B) .

+C) .

D) .

E) .

$$$ 24

На рисунке показана температурная зависимость молекулярной поляризуемости молекулы хлороводорода, который находится в газообразном состоянии. Найдите дипольный момент молекулы:

+A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 25

Причиной дипольно-релаксационной поляризации является:

A) Ионизация атомов.

B) Малые повороты диполей в поляризующем поле.

C) Малые колебания ионов относительно их мест закрепления.

+D) Срыв тепловым движением диполей и их последующий поворот в поляризующем поле.

E) Срыв тепловым движением ионов в поляризующем поле.

$$$ 26

На рисунке показана температурная зависимость молекулярной поляризуемости молекулы бромистого водорода, который находится в газообразном состоянии. Найдите дипольный момент молекулы:

+A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 27

На рисунке показана температурная зависимость молекулярной поляризуемости молекулы , вещество находится в газообразном состоянии. Найдите дипольный момент молекулы:

+A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 28

Причиной ионно-релаксационной поляризации является:

A) Ионизация атомов.

+B) Малые повороты диполей в поляризующем поле.

C) Малые колебания ионов относительно их мест закрепления.

D) Срыв тепловым движением диполей и их последующий поворот в поляризующем поле.

E) Срыв тепловым движением ионов в поляризующем поле.

$$$ 29

Линейная зависимость между магнитной индукцией и напряженностью магнитного поля имеет вид:

A) .

+B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 30

Магнитная восприимчивость отрицательна у:

A) Парамагнитных материалов.

+B) Ферромагнитных материалов.

C) Антиферромагнитных материалов.

D) Ферримагнитных материалов.

E) Диамагнитных материалов.

$$$ 31

Магнитная восприимчивость положительна у:

A) Парамагнитных материалов.

B) Ферромагнитных материалов.

+C) Антиферромагнитных материалов.

D) Ферримагнитных материалов.

E) Диамагнитных материалов.

$$$ 32

Палладий и платина являются:

A) Парамагнитными материалами.

B) Ферромагнитными материалами.

+C) Антиферромагнитными материалами.

D) Ферримагнитными материалами.

E) Диамагнитными материалами.

$$$ 33

Медь, серебро, золото, висмут являются:

+A) Парамагнитными материалами.

B) Ферромагнитными материалами.

C) Антиферромагнитными материалами.

D) Ферримагнитными материалами.

E) Диамагнитными материалами.

$$$ 34

Очень слабому выталкивающему действию внешнего магнитного поля подвергаются:

+A) Парамагнитные материалы.

B) Ферромагнитные материалы.

C) Антиферромагнитные материалы.

D) Ферримагнитные материалы.

E) Диамагнитные материалы.

$$$ 35

Слабое притягивающее действие неоднородного магнитного поля испытывают:

A) Парамагнитные материалы.

+B) Ферромагнитные материалы.

C) Антиферромагнитные материалы.

D) Ферримагнитные материалы.

E) Диамагнитные материалы.

$$$ 36

Железо, кобальт, никель и их сплавы являются:

+A) Парамагнитными материалами.

B) Ферромагнитными материалами.

C) Антиферромагнитными материалами.

D) Ферримагнитными материалами.

E) Диамагнитными материалами.

$$$ 37

Феррит-шпинели и феррит-гранаты являются

A) Парамагнитными материалами.

B) Ферромагнитными материалами.

C) Антиферромагнитными материалами.

+D) Ферримагнитными материалами.

E) Диамагнитными материалами.

$$$ 38

Число доменов в ферромагнетиках определяется:

A) Стремлением свободной энергии к минимуму.

B) Стремлением свободной энергии к максимуму.

+C) Внешним магнитным полем.

D) Стремлением энтропии к минимуму.

E) Стремлением внутренней энергии к минимуму.

$$$ 39

Спонтанная намагниченность в ферромагнетиках:

+A) Не зависит от температуры.

B) Обнаруживается ниже точки Кюри.

C) Обнаруживается в точке Кюри.

D) Обнаруживается выше точки Кюри.

E) Не обнаруживается вообще.

$$$ 40

Насыщение намагниченности может наблюдаться у:

A) Парамагнитных материалов.

+B) Ферромагнитных материалов.

C) Антиферромагнитных материалов.

D) Ферримагнитных материалов.

E) Диамагнитных материалов.

$$$ 41

Инертность намагничения ферромагнетика в постоянном магнитном поле представляет собой:

A) Явление электрострикции.

B) Внутреннее трение.

+C) Явление магнитострикции.

D) Магнитную вязкость.

E) Эффект Баркгаузена.

$$$ 42

Изменение намагниченности ферромагнетика при его деформации представляет собой:

A) Явление электрострикции.

B) Внутреннее трение.

+C) Явление магнитострикции.

D) Магнитную вязкость.

E) Эффект Баркгаузена.

$$$ 43

Недифференцируемость кривой намагничения ферромагнетиков является следствием

A) Явления электрострикции.

B) Внутреннего трения.

+C) Явления магнитострикции.

D) Магнитной вязкости.

E) Эффекта Баркгаузена.

$$$ 44

Область, характеризуемая отсутствием гистерезисных явлений, явления остаточной намагниченности и эффекта Баркгаузена, является:

+A) Областью насыщенной намагниченности.

B) Областью обратимого смещения стенок доменов.

C) Областью перехода ферромагнитных свойств в парамагнитные.

D) Областью необратимых смещений стенок доменов.

E) Областью последней стадии намагничивания.

$$$ 45

Эффект Баркгаузена наблюдается в:

A) Области насыщенной намагниченности.

+B) Области обратимого смещения стенок доменов.

C) Области перехода ферромагнитных свойств в парамагнитные.

D) Области необратимых смещений стенок доменов.

E) Области последней стадии намагничивания.

$$$ 46

Поворот вектора намагниченности ферромагнитного тела из направления легкого намагничивания в направлении вектора напряженности внешнего магнитного поля происходит в:

+A) Области насыщенной намагниченности.

B) Области обратимого смещения стенок доменов.

C) Области перехода ферромагнитных свойств в парамагнитные.

D) Области необратимых смещений стенок доменов.

E) Области последней стадии намагничивания.

$$$ 47

Ферромагнетик превращается в единый магнитный домен с очень высокой намагниченностью в:

A) Области насыщенной намагниченности.

B) Области обратимого смещения стенок доменов.

C) Области перехода ферромагнитных свойств в парамагнитные.

+D) Области необратимых смещений стенок доменов.

E) Области последней стадии намагничивания.

$$$ 48

Магнитная восприимчивость вблизи точки фазового перехода определяется законом:

A) .

B) .

+C) .

D) .

E) .

$$$ 49

Точкой Кюри представляет собой:

A) Температуру, ниже которой возникает фазовый переход II рода, близкий к фазовому переходу I рода.

+B) Температуру, ниже которой возникает фазовый переход II рода.

C) Температуру, выше которой возникает фазовый переход I рода.

D) Температуру, выше которой спонтанная намгнаиченность исчезает.

E) Температуру, ниже которой спонтанная намгнаиченность исчезает.

$$$ 50

Точкой Кюри характеризуется:

+A) Температурой, ниже которой возникает фазовый переход II рода.

+B) Температурой, выше которой возникает фазовый переход I рода.

C) Температурой, ниже которой возникает фазовый переход II рода, близкий к фазовому переходу I рода.

D) Температурой, ниже которой возникает ферромагнитный порядок.

E) Температура, выше которой возникает ферромагнитный порядок.

$$$ 51

Ларморова прецессия во внешнем магнитном возникает у :

A) Парамагнитных материалов.

+B) Ферромагнитных материалов.

C) Антиферромагнитных материалов.

D) Ферримагнитных материалов.

E) Диамагнитных материалов.

$$$ 52

Ларморова прецессия во внешнем магнитном поле характерна для:

+A) Парамагнитных материалов.

B) Ферромагнитных материалов.

C) Любых материалов.

D) Ферримагнитных материалов.

E) Диамагнитных материалов.

$$$ 53

Спонтанная намагниченность возникает в:

A) Любом парамагнетике.

B) Любом диамагнетике.

+C) Любом ферромагнетике.

D) Любом ферромагнетике в присутствии внешнего магнитного поля.

E) Любом ферромагнетике в отсутствии внешнего магнитного поля.

$$$ 54

Магноны представляют собой квантованные:

+A) Спиновые волны.

B) Поляроны.

+C) Фононы.

+D) Фотоны.

E) Спиноры.

$$$ 55

Спиновые волны представляют собой элементарные возбуждения в:

A) Сверхтекучих квантовых жидкостях.

B) Спиновых системах.

+C) Сверхпроводящих жидкостях.

D) Молекулярных комплексах.

E) Вырожденном электронном газе.

$$$ 56

Магнитный гистерезис наблюдается в:

A) Фуллеренах.

B) Сверхпарамагнетиках.

+C) Парамагнетиках.

D) Диамагнетиках.

E) Ферромагнетиках.

$$$ 57

Напряжённое состояние конденсированных сред описывается:

A) Вектором.

B) Скаляром.

C) Антисимметричным тензором второго ранга.

+D) Симметричным тензором второго ранга.

E) Симметричным тензором третьего ранга.

$$$ 58

Линейная зависимость между механическим напряжением и деформацией справедлива:

A) При небольших значениях модуля Юнга.

+B) Только при больших значениях модуля Юнга.

+C) При малых деформациях.

D) В области текучести.

E) Только при деформациях, предшествующих развитию магистральной трещины.

$$$ 59

В хрупких материалах предел упругости:

A) Значительно больше предела текучести.

B) Совпадает с пределом прочности.

C) Значительно меньше предела текучести.

D) Значительно меньше предела прочности.

+E) Совпадает с пределом текучести.

$$$ 60

Необратимая остаточная деформация может возникнуть:

A) В результате скалывающих напряжений.

B)В результате нормальных напряжений.

C) В области упругих деформаций.

+D) В области справедливости закона Гука.

E) Только в результате деформации кручения.

$$$ 61

Большое значение поляризации ионного смещения в титанате бария обусловлено:

+A) Небольшим внутренним полем.

+B) Большим внутренним полем.

+C) Значительными смещениями маленького иона внутри кислородного октаэдра, его ангармоническими колебаниями, большим внутренним полем.

D) Значительными смещениями маленького иона внутри кислородного октаэдра, его гармоническими колебаниями, небольшим внутренним полем.

E) Небольшими смещениями маленького иона внутри кислородного октаэдра, его гармоническими колебаниями, большим внутренним полем.

$$$ 62

Параэлектрическое состояние в кристаллах исчезает:

A) В точке Кюри.

B) Выше точки Кюри.

+C) Ниже точки Кюри.

D) В малой окрестности точки Кюри.

E) В кристаллах ферромагнитного состояния не существует.

$$$ 63

Техническая прочность твёрдых тел:

+A) На 5-6 порядков ниже теоретической прочности.

B) На 5-6 порядков выше теоретической прочности.

C) На 2-3 порядка ниже теоретической прочности.

D) Совпадает с теоретической.

E) На 2-3 порядка выше теоретической прочности.

$$$ 64

Для моделирования упругого смещения доменных стенок в переменном электрическом поле можно использовать уравнение:

A) .

+B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 65

Концентрация носителей тока в примесных полупроводниках зависит от температуры по закону:

A) .

+B) .

+C) .

D) .

E) .

$$$ 66

Электропроводность легированных полупроводниковых материалов с увеличением температуры:

A) Существенно уменьшается.

B) Существенно увеличивается.

+C) Слабо увеличивается.

D) Слабо уменьшается.

E) Не изменяется.

$$$ 67

Донорные примесные уровни энергии в полупроводниках находятся:

A) У дна валентной зоны.

B) У потолка запрещенной зоны.

+C) У потолка валентной зоны.

D) В зоне проводимости.

E) У дна запрещенной зоны.

$$$ 68

Акцепторные уровни служат:

A) Поставщиками электронов в зону проводимости.

B) Поставщиками электронов в запрещенную зону.

+C) Поставщиками дырок в валентную зону.

D) Поставщиками дырок в зону проводимости.

E) Поставщиками электронов в валентную зону.

$$$ 69

Вероятность нахождения электрона с энергией, численно равной величине химического потенциала:

+A) Равна 0,75.

B) Равна 0,5.

+C) Равна 0,4.

+D) Равна 1.

E) Равна 2.

$$$ 70

Эффективная масса электронов в конденсированном состоянии:

+A) Является скалярной величиной.

B) Определяет при известной средней скорости запас кинетической энергии электрона.

C) Характеризует инертные свойства электронов в полупроводниках.

D) Является мерой гравитационного притяжения электронов в полупроводниках.

E) Характеризует взаимодействие электронов с кристаллической решеткой.

$$$ 71

Протонные дырки в кристаллах слюд (флогопит, мусковит, вермикулит) возникают в результате:

A) Разрыва водородной связи.

+B) Поворота молекулы воды, приводящего к появлению двух протонов на водородной связи.

C) Отсутствия протона на водородной связи.

D) Трансляционной диффузии молекул воды.

E) Протонных дырок в кристаллах с водородными связями не возникает.

$$$ 72

Проводимость полупроводника при электропереносе с помощью дырок и электронов определяется выражением определяется выражением:

A) .

+B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 73

Указать случай уменьшения электропроводности полупроводников с ростом температуры:

A) Определяющий вклад в электропроводность вносит термическая активация электронов с донорных уровней или на акцепторные уровни.

B) Примесные уровни истощены, а собственная проводимость еще исчезающе мала.

C) Донорные уровни еще способны поставлять электроны в зону проводимости.

+D) Акцепторные уровни еще способны создавать дырки в заполненной зоне.

E) Вклад термической активации электронов из заполненной зоны вносит определяющий вклад в электропроводность.

$$$ 74

Энтропия льда вблизи абсолютного нуля превышает расчетное значение в связи с:

A) Правилами Бернала-Фаулера.

B) Существованием дислокаций в решетке льда.

+C) Вращениями молекул воды.

D) Возникновением дефектов Бьеррума.

E) Отсутствием дефектов Бьеррума.

$$$ 75

Проводимость полупроводников, легированных донорной примесью, определяется выражением:

+A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 76

Проводимость полупроводников, легированных акцепторной примесью, определяется выражением:

+A) .

B) .

C) .

D) .

+E) .

$$$ 77

На представленной на рисунке зависимости концентрации носителей в примесном полупроводнике показаны три различные области проводимости. собственной проводимости соответствует область:

+A) I.

B) II.

C) I и II.

D) III.

E) II и III.

$$$ 78

В металлах значительный вклад в механизм теплопроводности помимо фононной составляющей вносят:

+A) Примесные атомы.

B) Свободные электроны.

C) Краевые дислокации.

D) Связанные электроны.

E) Винтовые дислокации.

$$$ 79

Закон Видемана-Франца выражается соотношением:

+A) .

B) .

+C) .

D) .

+E) .

$$$ 80

Проводимость слоистых купратов обнаруживает неметаллическое поведение:

A) Вдоль оси c.

B) Вдоль оси a.

C) Вдоль оси b.

+D) Вдоль осей a и b.

E) Вдоль осей a и c.

$$$ 81

Значительное изменение свойств кристаллов происходит при уменьшении нанокластеров до размера:

A) 0 нм.

+B) 00 нм.

C) 000 нм.

D) 0000 нм.

E) свойства кристаллов не могут зависеть от размеров кристаллитов.

$$$ 82

Теплоемкость нанокристаллических металлических образцов по сравнению с поликристаллических металлов:

A) Отличаются незначительно.

+B) нанокристаллических образцов может превышать для поликристаллических металлов на несколько порядков.

C) Больше.

D) Равны.

E) Меньше.

$$$ 83

Удельное электрическое сопротивление нанокристаллической меди:

+A) Практически не отличается от поликристаллических образцов.

B) В 2-3 раз меньше, чем поликристаллических образцов.

C) В 7-20 раз больше, чем поликристаллических образцов.

D) В 2-3 раз больше, чем поликристаллических образцов.

E) В 7-20 раз меньше, чем у поликристаллических образцов.

$$$ 84

Фуллерены представляют собой:

A) Замкнутые каркасные высокосимметричные соединения углерода.

B) Усечённый икосаэдр .

+C) Двумерные гексагональные структуры с насыщенными ковалентными связями.

+D) Структуры графита.

E) Структуры алмаза.

$$$ 85

Механической прочностью отличаются фуллерены:

A) С₇₅.

+B) С₆₀.

C) С₆₃.

D) С₂₉.

E) С₃₅.

$$$ 86

Наибольшей химической устойчивостью отличаются фуллерены:

A) С₇₅.

B) С₆₀.

+C) С₆₃.

D) С₂₉.

E) С₃₅.

$$$ 87

Размер полости внутри фуллерена составляет:

+A) 1,5 нм.

B) 0,4 нм.

C) 1 нм.

D) 0,2 нм.

E) 2 нм.

$$$ 88

Слои атомов углерода в графите связаны:

+A) Силами слабого взаимодействия.

+B) Гомеополярной связью.

+C) Ионной связью.

D) Ван-дер-ваальсовской связью.

E) Кулоновской связью.

$$$ 89

Атомы углерода в графите внутри слоев связаны:

A) Силами слабого взаимодействия.

+B) Гомеополярной связью.

C) Ионной связью.

D) Ван-дер-ваальсовской связью.

E) Кулоновской связью.

$$$ 90

Аномалии электрофизических свойств материалов с водородными связями существенно проявляются при размерах кристаллитов:

A) 00 нм.

B) 0 нм.

+C) 000 нм.

D) нм.

E) Свойства кристаллов не могут зависеть от размеров кластеров.

$$$ 91

Высокую механическую прочность и отсутствие химически уязвимых точек фуллерена С₆₀ обеспечивает:

+A) Особенности технологии конденсации углеродного пара.

B) Равномерное распределяется напряжения, создаваемого образованием пятиугольников по всему каркасу фуллерена.

C) Образование химических связей фуллеренов с металлами.

D) Образование двумерных дефектов каркасной структуры.

E) Ковалентная связь атомов углерода.

$$$ 92

В результате добавления нескольких процентов атомов кобальта могут образовываться:

A) Каркасные структуры типа усеченного икосаэдра.

+B) Фуллереновые наносферы.

C) Фуллереновые наношары.

+D) Фуллереновые нанотрубки.

E) Встроенные каркасные структуры типа матрешек.

$$$ 93

Распределение Вейбулла:

+A) .

B) .

C) .

D) .

E) .

$$$ 94

Как при выборочном контроле определить число отбираемых образцов , соответствующих числу образцов в партии:

A) С учетом условий эксплуатации.

+B) С учетом стоимости потерь, вызванных ошибками в решениях об оценке тех или иных изделий.

C) С учетом прямой стоимости контроля и стоимости потерь, вызванных ошибками в решениях об оценке тех или иных изделий.

+D) С учетом уровня контроля.

+E) С учетом прямой стоимости контроля тех или иных изделий.

$$$ 95

Из партии керамических конденсаторов отобрали пять образцов. При измерении сопротивления изоляции получены следующие значения: , , , , Ом. Определить среднее значение сопротивления:

A) Ом.

+B) Ом.

C) Ом.

D) Ом.

E) Ом.

$$$ 96

К 10 конденсаторам при С было приложено электрическое напряжение, в 3 раза превышающее номинальное. Испытание на долговечность продолжалось 100 ч. При этом 3% образцов вышли из строя. Сколько лет такие конденсаторы смогут прослужить в нормальных рабочих условиях:

A) 5 лет .

B) 264 года.

+C) 527 лет.

D) 56 лет.

E) 387 лет.

$$$ 97

Недиагональные компоненты тензора напряжений называют:

A) Нормальными.

B) Сдвиговыми.

C) Касательными.

+D) Тангенциальными.

E) Продольными.

$$$ 98

Чем определяется объем доменов в сегнетоэлектрике:

+A) Напряжённостью внешнего поляризующего поля.

B) Структурой сегнетоэлектрика.

+C) Температурой.

D) Условием минимума свободной энергии.

E) Условием минимума энтропии.

$$$ 99

Для описания движения доменных ферромагнетика можно применить уравнение:

A) .

B) .

C) .

+D) .

E) .

$$$ 100

Слоистые купраты характеризуются сверхпроводящими свойствами:

A) Вдоль оси b.

B) Вдоль осей a и c.

+C) Вдоль осей a и b.

D) Вдоль оси a.

E) Вдоль оси c.

$$$ 101

При растяжении полимера, находящегося в эластичном состоянии, работа совершается над:

A) Силами упругости.

+B) Силами притяжения молекул.

C) Тепловым движением.

+D) Силами отталкивания молекул.

+E) Полимеры не могут находиться в эластичном состоянии.

$$$ 102

Стеклообразное состояние полимера с частичной кристаллизацией существует при:

A) Значительной молекулярной массе и достаточно низкой температуре.

B) Малых молекулярных массах.

+C) Малой молекулярной массе и достаточно низкой температуре.

D) Значительной молекулярной массе и достаточно высокой температуре.

E) Малой молекулярной массе и достаточно высокой температуре.

$$$ 103

Процесс соединения нескольких одинаковых молекул в одну большую представляет собой:

A) Процесс полимеризации.

B) Процесс изомеризации.

+C) Процесс сополимеризации.

D) Процесс вулканизации.

E) Процесс поликонденсации.

$$$ 104

Процесс, при котором отдельные молекулы связываются не в одну линию, а могут образовывать сложные разветвленные цепи, представляет собой:

A) Процесс полимеризации.

B) Процесс изомеризации.

C) Процесс сополимеризации.

+D) Процесс вулканизации.

E) Процесс поликонденсации.

$$$ 105

Процесс, при котором исходное вещество представляет смесь нескольких простых веществ – мономеров, в большинстве случаев двух, представляет собой:

+A) Процесс полимеризации.

B) Процесс изомеризации.

C) Процесс сополимеризации.

D) Процесс вулканизации.

E) Процесс поликонденсации.

$$$ 106

Полярным полимером является:

+A) Полиэтилен.

B) Тефлон.

C) Полистрол.

D) Винилхлорид.

E) Полипарадихлорстирол.

$$$ 107

Процесс сшивания крупных молекул между собой путем введения в полимер некоторых простых молекул с последующей тепловой обработкой представляет собой :

A) Процесс полимеризации.

+B) Процесс изомеризации.

C) Процесс сополимеризации.

D) Процесс вулканизации.

E) Процесс поликонденсации.

$$$ 108

Процесс образования высокомолекулярных соединений из низкомолекулярных веществ, сопровождаемый одновременным выделением какого-либо низкомолекулярного продукта (воды, газа и т.д.) представляет собой:

A) Процесс полимеризации.

B) Процесс изомеризации.

C) Процесс сополимеризации.

+D) Процесс вулканизации.

E) Процесс поликонденсации.

$$$ 109

Для неполярных полимеров тангенс угла диэлектрических потерь не превышает 0,0003 для частот:

A) Сверхнизких.

B) Низких.

+C) Высоких.

D) Сверхвысоких.