ИНЭП ИТА ЮФУ. Отчет по лабораторной работе: «Исследование диода Ганна»

ИНЭП ИТА ЮФУ

Отчет по лабораторной работе: «Исследование диода Ганна»

Выполнил студент группы Э-32(ЭПбо3-3):
Николаев Е.В.

г.Таганрог, 2014 год.

Цель работы: Ознакомление с принципом работы, устройством и экспериментальными характеристиками диода Ганна.

Теоретические сведения:
Диод Ганна (изобретён Джоном Ганном в 1963 году) — тип полупроводниковых диодов, использующийся для генерации и преобразования колебаний в диапазоне СВЧ на частотах от 0,1 до 100 ГГц. В отличие от других типов диодов, принцип действия диода Ганна основан не на свойствах p-n-переходов, т.е. все его свойства определяются не эффектами, которые возникают в местах соединения двух различных полупроводников, а собственными свойствами применяемого полупроводникового материала. В отечественной литературе диоды Ганна называли приборами с объемной неустойчивостью или с междолинным переносом электронов, так как активные свойства диодов обусловлены переходом электронов из "центральной" энергетической долины в "боковую", где они уже могут характеризоваться малой подвижностью и большой эффективной массой. В иностранной же литературе диоду Ганна соответствует термин ТЭД (Transferred Electron Device).
ВАХ диода Ганна:

Результаты измерений:

L
Pвых	4.25	2,22		1,33		1,41		1,20			4,54		3,08		4,28		3,19			1,26
f				1,17GHz				1,11 GHz			1,13 GHz				1,13 GHz		1,22 GHz
I	56.5	55,5						51,5			-		-		-		-			-
U	5,1	5,1									-		-		-		-			-
L
Pвых	1,42		1,20		1,19		1,33		1,19	1,40		1,60		1,37		1,24		1,29	1,17
f			1,12						1.04	1,02		1,16		1,1		1,01		1,14	1,218

Графики зависимостей:

Зависимость I oт L

Зависимость U от L

Зависимость Рвых от L