Хелпикс

Главная

Контакты

Случайная статья





Пермский государственный технический университет



 

МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИя РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Пермский государственный технический университет

Кафедра АТ

 

Лабораторная работа № 2

Исследование полупроводниковых триодов.

 

Выполнил: ст. гр.АТПП-04

Павлов Д.Н.                    

Проверил: Андреев Е.Г.

 

             

 

 

Пермь 2006г.
Цель работы:

Получение опытным путём входных и выходных статических характеристик для схем с ОЭ и ОБ. Нахождение по входным и выходным характеристикам малосигнальных параметров транзистора.

Инструментарий:

На стойке: измерительный прибор вольтметр В-22; источник питания.

Лабораторный стенд для изучения транзисторов, транзистор МП26Б или аналогичный, соединительные провода.

 

Ik=F(Uк-э)/Iб=const.

 

Uк-э, В

Ik, мкА

  Iб=0 Iб=0,05 Iб=0,1 Iб=0,15 Iб=0,2
0,32 5,4 5,6 5,8 5,9
0,5 82
16

 

Iб=F(Uб-э)/Iкэ=const.

 

Uк=0 В

Uк=-5 В

Iб, мА Uб-э, В Iб, мА Uб-э, В
0,006 0,046
0,05 0,079 0,05 0,159
0,1 0,102 0,1 0,185
0,15 0,115 0,15 0,201
0,2 0,127 0,2 0,213

 

 

 

Ik=F(Uк-э)/Iб=const.

 

Uк-б, В

Ik, мкА

  Iэ=0 Iэ=2 Iэ=4 Iэ=6 Iэ=8 Iэ=10
1,17
0,5 8,26
8,46
8,65
8,88
9,16
9,5

 

Iэ=F(Uэ-б)/Iкб=const.

 

Uкб=0 В

Uкб=-5 В

Iэ, мА Uэ-б, В Iэ, мА Uэ-б, В
0,0012 0,0156
0,159 0,149
0,187 0,175
0,204 0,192
0,219 0,205
0,232 0,218

 

H-параметры:

                    

                     

 

Схема общий эмиттер:

     

UK=5 B

        

IБ= 0,15 мA

        

UK=4 B

      

IБ=0,1 мA

Схема общая база:

   

UK=5 B

      

IЭ=8 мA

      

UK=4 B

     

IЭ=6 мA

Вывод:

В лабораторной работе мы рассмотрели транзистор МП26Б со схемами включения ОЭ и ОБ.

Данный транзистор является германиевым, сплавным, с p-n-p – переходом, универсальным, низкочастотным, маломощным.

Транзисторы предназначены для усиления и переключения НЧ сигналов. В данной работе он используется для усиления НЧ сигналов.

1) Схема с ОБ имеет лучшие частотные свойства. Характеристики ОБ меньше зависят от температуры. Существует недостаток - малое входное сопротивление, большой входной ток.

2) Схема ОЭ имеет высокий коэффициент усиления по всем параметрам, но очень плохие частотные свойства, характеристики и параметры очень сильно зависят от температуры.



  

© helpiks.su При использовании или копировании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.