|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Цель работы: Исследование статистических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных малосигнальных параметров.
Федеральное агентство по образованию ФГВОУ ВПО “Уральский Федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”
Кафедра “Автоматика и управление в технических системах”
Характеристические параметры биполярного транзистора Отчет по лабораторной работе №2 по дисциплине «Электротехника и электроника» Вариант №10
Студенты: Кучеренко Г.А. Гайнуллин О.А.
Группа: РИ-200210 Преподаватель: Матвиенко В.А.
Цель работы: Исследование статистических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных малосигнальных параметров. Ход работы
I б max = 133,3мкА.
Iб1=I б max/4=35 mk A
I б2 =I б max/2=70 mk A
I б3=3* I б max/4=105 mk A
I б3==140 mk A
5. Измерим коэффициент передачи β=∆Iк/∆Iб, при Uкэ=5B и Iк =1мА Uкэ=5В Iб=9,12 мкА Iб ув.=9,804 мкА Ik2=1,075м β=0,075/0,684 *10^(-3) = ~110
при Uкэ=5В и Iк=1 мА Iб2=9,804 мкА Uбэ=656,6 мВ Uбэ2=658,6 мВ rбэ =2 мВ/0,684 мкА=2923,98 Ом
при Uкэ=5В и Iк=1мА Uкэ=10В Iк1=1,048мА rкэ =5/0,048*10^(-3)=104166,7 Ом
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|