Хелпикс

Главная

Контакты

Случайная статья



Цель работы: Исследование статистических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных малосигнальных параметров.



 

Федеральное агентство по образованию

ФГВОУ ВПО “Уральский Федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина”

 

Кафедра “Автоматика и управление в технических системах”

 

Характеристические параметры биполярного транзистора

Отчет по лабораторной работе №2

по дисциплине

«Электротехника и электроника»

Вариант №10

 

 

                       Студенты:                      

                         Кучеренко Г.А.

                                              Гайнуллин О.А.

 

        Группа:                    РИ-200210

    Преподаватель:     Матвиенко В.А.

 

Цель работы: Исследование статистических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных малосигнальных параметров.

Ход работы

  1. Соберем схему для исследования биполярного транзистора.
  1. Определим ток базы Iб , при котором ток коллектора будет равен 10мА

I б max = 133,3мкА.

  1. Снимем входные статистические характеристики при Uкэ1=0В и Uкэ2=5В, задавая ток базы.

 

Iб, мкА U m V I mk A
460,3 -9,535
486,9 -1,501
-4,449
534,4 -9,391
-19,29
577,1 -49,03
595,2 -98,62
133,3 602,7 -131,6

 

  1. Снимем семейство выходных статистических характеристик при четырех значениях тока базы Iб=const, определяя ток коллектора.

Iб1=I б max/4=35 mk A

Uкэ V I m A
0,1 1,01
0,2 3,063
0,5 3,211
3,227
3,259
3,357
3,519
3,682

I б2 =I б max/2=70 mk A

Uкэ V I m A
0,1 1,875
0,2 5,278
0,5 5,513
5,541
5,597
5,764
6,043
6,322

I б3=3* I б max/4=105 mk A

Uкэ V I m A
0,1 2,634
0,2 7,091
0,5 7,394
7,431
7,506
7,730
8,107
8,477

I б3==140 mk A

Uкэ V I m A
0,1 3,318
0,2 8,663
0,5 9,023
9,068
9,159
9,432
9,887
10,34

 

5. Измерим коэффициент передачи β=∆Iк/∆Iб, при Uкэ=5B и Iк =1мА

Uкэ=5В

Iб=9,12 мкА    

Iб ув.=9,804 мкА

Ik2=1,075м

β=0,075/0,684 *10^(-3) = ~110

  1. Измерим входное сопротивление транзистора rбэ =∆Uбэ/∆Iб

при Uкэ=5В и Iк=1 мА

Iб2=9,804 мкА

Uбэ=656,6 мВ

Uбэ2=658,6 мВ

rбэ =2 мВ/0,684 мкА=2923,98 Ом

  1. Измерим входное сопротивление транзистора rкэ =∆Uкэ/∆Iк

при Uкэ=5В и Iк=1мА

Uкэ=10В

Iк1=1,048мА

rкэ =5/0,048*10^(-3)=104166,7 Ом
  

© helpiks.su При использовании или копировании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.