|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Лабораторная работа № 2. Исследование работы биполярного транзистораСтр 1 из 2Следующая ⇒
Лабораторная работа № 2 Исследование работы биполярного транзистора
Цель: снятие входных и выходных характеристик транзистора Оборудование: лабораторный стенд 87Л-01, транзистор КТ361 Порядок выполнения работы: 1) Собрать схему для снятия входной характеристики транзистора рисунок 3.1: Рисунок 3.1
2) Снять входную характеристику Iб=f(Uб), для этого установить напряжение на коллекторе постоянное минимальное (ручка ГН2 в крайнем левом положении), изменяя Iб измерить Uбэ, результаты занести в таблицу 3.1 3) Собрать схему для снятия выходных характеристик транзистора, рисунок 3.2: Рисунок 3.2 4) Снять входную характеристику Iк=f(Uкэ), для этого установить постоянный Iб, изменять Uкэ, замерить Iк. Результаты занести в таблицу 3.2
5) По полученным данным построить входные Iб=(Uбэ) при Uк=const (рисунок 3.3) и выходные характеристики Iк=f(Uкэ) при Iб=const (рисунок 3.4) Таблица 3.1
Рисунок 3.3 Входная характеристика транзистора
Таблица 3.2
Рисунок 3.4 Выходная характеристика транзистора
Выводы: ____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________ ____________________________________________________________________ Вопросы к защите: 1) Транзистор: определение, типы, УГО 2) Работа транзистора в режиме переключения 3) Работа транзистора в режиме усиления 4) Характеристики транзистора: входные, выходные, совмещенные
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|