|
||||||||||
Министерство образования и науки Российской ФедерацииСтр 1 из 4Следующая ⇒
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
Отчёт по лабораторной работе №2 «Транзисторы». 17 вариант
Выполнил Студент группы НГА31
Туманов Д.В.
Принял: Фугаров Д.Д.______________
Дата выполнения «__ » __________2014 г.
Ростов-на-Дону Цель работы: 1. Повторить пройденный материал по теме “Транзисторы” 2. Научиться рассчитывать параметры и определять характеристики полупроводниковых транзисторов.
Рисунок 1 – Функциональная схема включения транзистора с общим эмиттером
Рисунок 2 – Входная ВАХ Рисунок 3 – Выходная ВАХ
Ход работы: Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером необходимо: - используя входную и выходную вольтамперную характеристику определить ток базы IБ и ток коллектора IК; - определить коэффициент усиления по току KI; - определить сопротивление нагрузки RК; - определить мощность на коллекторе PК.
Обработка результатов
1. По графику входной вольтамперной характеристики транзистора (рисунок 2) находим ток базы IБ=1 мА.
2. По графику выходной вольтамперной характеристики транзистора (рисунок 3) находим ток коллектора IК=0,1 А.
3. Определяем коэффициент усиления по току: KI= IК/ IБ=100/1=100
4. Определяем сопротивление нагрузки: RК= ЕК/ IК=40/0,1=400 Ом
5. Определяем мощность на коллекторе: PК= IК2×RК=0,12×400=4 Вт.
Вывод: входе проделанных вычислений были выявлены параметры и характеристики полупроводникового транзистора включенного по схеме с общим эмиттером.
|
||||||||||
|