|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
КТ358А, КТ358Б, KT358B
КТ358А, КТ358Б, KT358B Кремниевые планарно-эпитаксиальные высокочастотные усилительные транзисторы n-p-n. Предназначены для использования в усилительных и генераторных устройствах радиоэлектронной аппаратуры. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Эксплуатируются при Θокр от -40 до +85 ºС. Масса не более 0,2 г.
Электрические параметры и предельные значения допустимых режимов работы
1 В интервале температур от -40° до +50 °С. При температуре окружающей среды от 50° до 85 °С максимально допустимая мощность определяется по формуле: Ркmах = 50 +(85 - Θокр)/0,7, мВт.
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|