|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Исследование работы биполярного транзистораИсследование работы биполярного транзистора
1. Экспериментальное определение входной характеристики транзистора.
Собрать схему
1. Построить входные характеристики IБ=f(UБЭ)
Для трех значений V1=0В, 2В и 5В. V2 меняется в пределах on 0 до 1В через 0,1В Графики представить на одном плоте. Графическим способом определить входное сопротивление транзистора.
2. Построить входные характеристики IБ=f(UВХ)
для значений V1= 5В. V2 меняется в пределах on 0 до 1В через 0,1В. Графическим способом определить входное сопротивление усилителя.
3. Получение экспериментальной зависимости IК=f(IБ)
Для значений V1 = 5В и 10В. Ток базы меняется в пределах от 1мкА до 500мкА Графическим способом определить динамический коэффициент усиления по току.
4. Получение передаточной характеристики. UВЫХ=f(UВХ) Для значений UВХ = от 0,7В до 5В. Собрать схему 5.Изменяя входной ток источника I1 в цепи базы транзистора от 10мкA до 500мкA и фиксируя напряжение UБЭ при постоянном напряжении V1, снять и построить входную статическую характеристику транзистора IБ=f(UБЭ) при постоянном напряжении UКЭ =20в. Для двух значений V1=0В и 5В. Объяснить отличие полученной характеристики от аналогичной из пункта 1.
6.При постоянном токе базы IБ -10мкА, 100мкА, 300мкА, снять и построить выходные характеристики транзистора IК=f(UКЭ) для пределов изменения напряжения источника питания в цепи коллектора от (0-20)В. По выходным характеристикам определить положение рабочей точки транзистора для напряжения питания 20В и резистора в выходной цепи 4кОм. Графическим способом определить выходное сопротивление транзистора.
Тип транзистора для выполнения лабораторной работы студента 3 курса кафедры Персональная электроника.
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|