Главная

Контакты

Случайная статья

• Автоматизация
• Антропология
• Археология
• Архитектура
• Биология
• Ботаника
• Бухгалтерия
• Военная наука
• Генетика
• География
• Геология
• Демография
• Деревообработка
• Журналистика
• Зоология
• Изобретательство
• Информатика
• Искусство
• История
• Кинематография
• Компьютеризация
• Косметика
• Кулинария
• Культура
• Лексикология
• Лингвистика
• Литература
• Логика
• Маркетинг
• Математика
• Материаловедение
• Медицина
• Менеджмент
• Металлургия
• Метрология
• Механика
• Музыка
• Науковедение
• Образование
• Охрана Труда
• Педагогика
• Полиграфия
• Политология
• Право
• Предпринимательство
• Приборостроение
• Программирование
• Производство
• Промышленность
• Психология
• Радиосвязь
• Религия
• Риторика
• Социология
• Спорт
• Стандартизация
• Статистика
• Строительство
• Технологии
• Торговля
• Транспорт
• Фармакология
• Физика
• Физиология
• Философия
• Финансы
• Химия
• Хозяйство
• Черчение
• Экология
• Экономика
• Электроника
• Электротехника
• Энергетика

Исследование работы биполярного транзистора

Исследование работы биполярного транзистора

1. Экспериментальное определение входной характеристики транзистора.

Собрать схему

1. Построить входные характеристики IБ=f(UБЭ)

Для трех значений V1=0В, 2В и 5В.

V2 меняется в пределах on 0 до 1В через 0,1В

Графики представить на одном плоте.

Графическим способом определить входное сопротивление транзистора.

2. Построить входные характеристики IБ=f(UВХ)

для значений V1= 5В.

V2 меняется в пределах on 0 до 1В через 0,1В.

Графическим способом определить входное сопротивление усилителя.

3. Получение экспериментальной зависимости  IК=f(IБ)

Для значений V1 = 5В и 10В.

Ток базы меняется в пределах от 1мкА до 500мкА

Графическим способом определить динамический коэффициент усиления по току.

4. Получение  передаточной характеристики. UВЫХ=f(UВХ)

Для значений U_ВХ = от 0,7В до 5В.

Собрать схему

5.Изменяя входной ток источника I₁ в цепи базы транзистора от 10мкA до 500мкA и фиксируя напряжение U_БЭ при постоянном напряжении V1, снять и построить входную статическую характеристику транзистора I_Б=f(U_БЭ) при постоянном напряжении U_КЭ =20в.

Для двух значений V1=0В и 5В.

Объяснить отличие полученной характеристики от аналогичной  из пункта 1.

6.При постоянном токе базы I_Б -10мкА, 100мкА, 300мкА, снять и построить выходные характеристики транзистора I_К=f(U_КЭ) для пределов изменения напряжения источника питания в цепи коллектора от (0-20)В.

По выходным характеристикам определить положение рабочей точки транзистора для напряжения питания 20В и резистора в выходной цепи 4кОм.

Графическим способом определить выходное сопротивление транзистора.

Тип транзистора для выполнения лабораторной работы студента 3 курса кафедры Персональная электроника.