Исследование полупроводниковых диодов»

«Исследование полупроводниковых диодов»

1. Снять вольт-амперные характеристики (ВАХ) I(U) двух диодов: германиевого Д7 и кремниевого Д226.

1.1. Собрать схему для снятия прямой ветви ВАХ диода (а)

1.2. Прямой ход

Тип диода: Д9 германиевый I_{пр.макс}= 15 mA R=1кОм

U_пр, В	0,5	0,39	0,33	0,27
I_пр, mA

Тип стабилитрона: KC147 кремниевый
I_{пр.макс}= 15 mA R=1кОм

U_пр, В	0.69	0.66	0.63	0.6
I_пр, mA

Тип диода: Д102 кремниевый I_{пр.макс}= 15 mA R=1кОм

U_пр, В	1,6	1,3	1,1
I_пр, mA

1.3. Собрать схему для снятия прямой ветви ВАХ диода (б)

1.4. Обратный ход

Тип диода: Д9 германиевый U _{обр.макс} = 14,6 B R=1кОм

U_обр, В
I_обр, мкA			1,5

Тип стабилитрона: KC147 U_{обр.макс} = 14,5 B R=1кОм

U_обр, В	4,9	4,5	4,2	3,8
I_обр, мкA				0,5

Схемы для снятия прямой (а) и обратной (б) ветвей ВАХ диода:

R1 = (0,1-1,0) кОм; ИП – БП 15.

Пределы измерений: mA (пр. ветвь) – (15-30) mA; mA(обр.ветвь) – 0,75 mA; V(пр. ветвь) – 1,5 B; V(обр. ветвь) – 15В

2. Построить ВАХ обоих диодов

3. Вычислить

R_пр=

R_обр=

R_дифф.=dU/dI при I=I_{пр.макс}/2 :

при I=I_{пр.макс}/10 :

R_pn=φ_т/I , где φ_т – тепловой потенциал (26 мВ).

4. Рассчитать коэффициент стабилизации:

К_стаб = [(U_ип'– U_ип)/U_ип]/[(U_н'– U_н)/U_н].

К_стаб=

5. Сделать выводы по работе: