Цель работы. Влияние температуры. Определение обратного тока и сопротивления диода

Цель работы

Экспериментальное исследование полупроводниковых диодов, определение их параметров.

Табл1:

Диод	I_пр.доп А	U_пр._max В	U_{обр.доп} В	I_обр._max мкА	Т_min ^ОС	Т_max ^ОС	Р_доп Вт
D1N4946GP		0.75	118.5	51,4			7,5
1N4741A	0.14	0.75	11.05	41,5			11,3

Ход работы

1) Собираем схему:

Строим ВАХ диода

Табл2:

Диод	I_пр, мА	0,0	0.995	1.989	3.977	7.953
1N4946GP	U_пр, В	0,0	0.535	0.555	0.574	0.594	0.615	0.635	0.657	0.682	0.712	0.751	0.813
1N4741A	I_пр, мА	0.0	1,99	3,979	7,956
1N4741A	U_пр, В	0.0	0,512	0,530	0,548	0,567	0,585	0,603	0,621	0,641	0,657	0,676

Для выпрямительного диода:

определим прямое дифференциальное сопротивление диода =(0,04/257)*1000 =0,15Ом

определим прямое статическое сопротивление диода R_ст=U_пр/I_пр= (0,73/295,5)*1000=2,47Ом

Для стабилизирующего диода:

определим прямое дифференциальное сопротивление диода = (0,016/239)*1000=0,07Ом

определим прямое статическое сопротивление диода R_ст=U_пр/I_пр = (0,649/403,5)*1000 = 1,6Ом

2.Влияние температуры

Табл3:

Диоды	27^оС				60^оС
1N4946GP	I,мА		Uпр,В	rд,Ом	I,мА	Uпр,В	rд,Ом
			0,708	0,07		0,655	0,082
			0,690			0,634
1N4741A		0,626		0,059		0,654		0,31
		0,64				0,579

Производим расчет дифференциального сопротивления по формуле:

Диод 1N4946GP(t=27 ˚C): rд=(0.708-0.690)/(522-265)*1000=0.07Ом

Диод 1N4946GP(t=60 ˚C): rд=(0.655-0.653)/(522-265)*1000=0.082Ом

Диод 1N4741A (t=27 ˚C): rд=(0.626-0.64)/(523-284)*1000=0.059Ом

Диод 1N4741A (t=60 ˚C): rд=(0,654-0,579)/(523-284)*100=0,31Ом

3. Определение обратного тока и сопротивления диода

Табл4:

Диод	TºC	U_пр_max (В)	R_пр (Ом)	r_Д (Ом)	I_о_бр (мкА)	R_обр (МОм)
1N4946GP		0,813	2,47	0,07	51,4	0,0023
1N4946GP		-	-	0,0892	51,4	0,0023
1N4741A		0,676	1,6	0,059	41,1	0,00027
1N4741A		-	-	0,31	41,5	0,000265

Вывод:

В данной Лабораторной работе мы рассмотрели 2 диода. При их сравнении мы обнаружили, что Напряжение насыщения у первого 0,5В, у второго 0,6В. Rд у выпрямительного 0,15Ом, у стабилизирующего 0,07Ом. Также мы научились определять основные параметры диода, а именно I_пр.допU_пр._maxU_{обр.доп}I_обр._maxР_доп(сравнение двух диодов приведено в табл 1).