|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ОРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТАНГЕНСА УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ (ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ) НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХСтр 1 из 2Следующая ⇒
Кафедра ФТЭМК
Лабораторная работа №4 ОРЕДЕЛЕНИЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ И ТАНГЕНСА УГЛА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОТЕРЬ ТВЕРДЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ (ЭЛЕКТРОИЗОЛЯЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ) НА ВЫСОКИХ ЧАСТОТАХ
Москва 2020 Цель работы — определение диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь различных электроизоляционных материалов в зависимости от изменения частоты электрического поля, а также ознакомление с одним из стандартных методов определения этих диэлектрических характеристик.
В работе для определения ε диэлектриков на высоких частотах используется резонансный метод измерения емкости и добротности конденсаторов с помощью измерителя добротности (куметра). Резонансная частота колебательного контура зависит от его индуктивности и емкости: 𝑓 = 2𝜋√𝐿С
Измерительный прибор состоит из генератора высокой частоты (ГВЧ), колебательного контура и индикатора резонанса — электронного вольтметра (рис. 1).
Рисунок 1 tgδ = 𝜀 = 𝑘 ∙ C𝑥 (Q2 – Q1)С2 Q1Q2. (С2 – С1)
Образец 1
Параметры образца: Dизол = 2.2 мм d = 0.3 мм L = 0,3 м k = 0.119
Образец 2
Параметры образца: 𝐷изол = 3.9 мм 𝑑 = 1.8 мм
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|