Хелпикс

Главная

Контакты

Случайная статья





Исследование принципов построения и свойств резистивных уси­лительных каскадов при их работе в режиме малого сигнала.



1. Исследование принципов построения и свойств резистивных уси­лительных каскадов при их работе в режиме малого сигнала.

 

Часть 1. Исследование принципов обеспечения требуемого начального значения тока IК0.

 

Общие сведения.

 

Важнейшими требованиями, предъявляемыми к усилительным каскадам любого типа, являются стабильность и опредёленность их основных свойств, малая зависимость этих свойств от характеристик конкретного усилительного прибора и от уровня воздействия на схему усилительного каскада дестабилизи­рующих факторов. В качестве дестабилизирующих факторов могут выступать температурные изменения, технологический или другой разброс параметров транзистора.

Основные свойства усилительного каскада при данном схемном построе­нии, в первую очередь, обусловливаются режимом работы его усилительного прибора. Этот режим характеризуется положением исходной рабочей точки (ИРТ), которое определяется средним значением IК0 коллекторного тока и сред­ним значением UКЭ0 напряжения коллектор-эмиттер. Транзистор в каскадах усиления обычно работает в режиме, при котором IК0 практически не зависит от UКЭ0 , а IК0 = IЭ0 . Этот режим работы соответствует условию UКЭ0>Uнач , где Uнач – протяжённость начального участка выходных вольт-амперных характеристик транзистора (рис.1). Здесь и в дальнейшем полярности напряжений и направле­ний токов указываются применительно к транзисторам n-p-n типа.

В процессе усиления сигналов в результате их воздействия на вход тран­зистора значения тока IК и напряжения UКЭ изменяются. Точка плоскости вы­ходных вольт-амперных характеристик, связывающая текущие значения IК и UКЭ , называется рабочей точкой (РТ). Считается, что транзистор работает в усилительном режиме, если в процессе усиления сигналов траектория движе­ния РТ не соприкасается с линиями насыщения и отсечки, а именно, выполня­ются условия UКЭmin>1.1 … 1.2 Uнач ; IКmin>1.1 …1.2 Iнач Линия или  траектория, по которой движется рабочая точка в процессе воздействия на кас­кад усиливаемых сигналов, называется нагрузочной линией, или нагрузочной характеристикой. При чисто резистивном характере нагрузки эта линия пред­ставляет собой прямую, проходящую через исходную рабочую точку. Требуемое значение тока IЭ0 обычно задаётся по так называемой схеме эмит­терно-базовой стабилизации (рис.2). При ней потенциал базы UБ0 фиксиру­ется за счёт питания базового вывода транзистора от низкоомной цепи, например с помощью делителя, в котором выполняется условие Iдел>>IБ0. (Здесь и в даль­нейшем индексация элементов схем осуществляется в соответствии со схемой лабораторного макета (рис.3)). В эмиттерной цепи транзистора с помо­щью ре­зистора R8 и протекающего через него тока IЭ0 создаётся разность потенциалов UR8=IЭ0R8.

С точки зрения обеспечения в этой схеме стабильного и определенного тока IЭ0, существенным является то, что в транзисторах разность потенциалов база-эмиттер UБЭ0 в малой степени зависит от тока IЭ0, поскольку эта зависи­мость приближается по характеру к логарифмической:

        UБЭ=mφTln(IKIОЭ),                                                                   (1)

где m – параметр, значение которого близко к 1 при малых IК и достигает 3…5 при IК, приближающихся к максимально допустимым; IОЭ – обратный ток на­сыщения перехода база-эмиттер; φT = 0,026В. Для кремниевых транзисторов, работающих в режиме усиления UБЭ0 = 0,7В, где UБЭ0 – разность потенциалов UБЭ, отвечающая усилительному режиму работы транзистора. Таким образом, можно считать, что в усилительной схеме, организованной на базе кремниевого транзистора, потенциал UБ0 передаётся (транслируется) в эмиттер транзистора за вычетом фиксированного значения UБЭ0 = 0,7В. Благодаря этому разность потенциалов UR8 на эмиттерном резисторе R8 независимо от свойств конкрет­ного и значения тока IК0 определяется соотношением

                    .                (2)

Отклонения ∆IК0 коллекторного тока от ожидаемого значения IК0 опреде­ляются возможными вариациями ∆UБЭ из-за температурных изменений и тех­нологического разброса параметров; при этом ∆IК0 = ∆UБЭR8, а 

IК0IК0 = ∆UБЭUБЭ .

Таким образом, с точки зрения обеспечения стабильности и определённо­сти тока IК0, малой зависимости этого тока от свойств конкретного транзистора и возможных температурных изменений, желательно, чтобы в схеме рис.2 вы­полнялись следующие соотношения UЭ0 >> ∆UБЭ, Iдел>>IБ0, IБ0R19 << UБ0.

 

Порядок выполнения первой части работы.

 

В ходе выполнения лабораторных исследований определите зависимость разности потенциалов UБЭ от тока IЭ, при этом сопоставьте ход данной зависи­мости с аналогичной, описываемой соотношением (1) для случая m=1 и IОЭ, вы­численной по формуле

             IОЭ= IЭ exp(-UБЭφT),                                                           (3)

где IЭ, UБЭ – значения тока и напряжения, отвечающие начальному участку из­меренной зависимости UБЭ=f(IК), когда m=1 (S3 – 1). В ходе исследований также оцените ход зависимости m от тока IЭ0, при этом текущие значения m при раз­личных IЭ и UБЭ вычислите по формуле

        m= UБЭ ∕ ( φT ln(IЭ IОЭ)), где IЭ = UR8 ∕ R8.                            (4)

1. Исследуйте зависимость постоянных напряжений на выводах транзи­стора от тока эмиттера IЭ, для этого при ряде значений резистора R4 (положениях 1…7 переключателя S3) схемы рис.3 с помощью цифрового вольтметра постоянного тока измерьте значения потенциалов UБ0, UК0, UЭ0 в точках а, б и в (S6 – 1, 2 и 3). Измерения осущест­вите при S4 5, S71. Поло­жение остальных переключателей произвольное.

2. По результатам измерений п.1 вычислите значения тока IЭ = UR8 ∕ R8 и разности потенциалов UБЭ= UБ0 - UЭ0. Результаты измерений представьте в виде графика зависимости UБЭ=f(IЭ), а также графиков, соответствующих проведён­ным по формулам (1), (3) и (4) вычислениям.

Часть 2. Измерение низкочастотных Y – параметров транзистора и их     зависимости от положения исходной рабочей точки.

 

Общие сведения.

 

Биполярный транзистор как трёхполюсный элемент может быть подклю­чен к схеме шестью способами. На практике используются только три из них. Эти способы иллюстрирует рис.4, на котором изображены эквивалентные схемы каскадов для переменного тока. Во всех схемах рис.4
 один электрод тран­зистора является общим для входных 11` и выходных

2 2` зажимов, в связи с чем схема рис.4,а называется схемой с общим эмитте­ром (ОЭ), рис.4,б – с общим коллектором (ОК), рис.4,в с общей базой (ОБ). Схемы рис.4 являются эквивалентными схемами исследуемого лабораторного макета (рис.3) для области основных, так называемых средних частот (СЧ). Каскады организуются таким образом, что в этой области частот оказываются справедливыми следующие допущения:

а) блокирующие и разделительные конденсаторы (С7, С2, С3, С9, С4, С6) имеют пренебрежимо малое сопротивление;

б) проводимости паразитных ёмкостей, шунтирующих пути прохождения сигнала, малы;

в) инерционные свойства транзистора не проявляются, в результате чего Y-параметры транзистора выражаются вещественными числами. Такие пара­метры транзистора называют низкочастотными g-параметрами.

При составлении эквивалентных схем для переменного тока источники питания заменяются коротким замыканием.

Наибольшее усиление KP по мощности обеспечивает включение по схеме ОЭ (см. рис.4,а). Это включение называется основным. При основной схеме включения имеют место не только наибольшее усиление по мощности, но и существенные усиления по напряжению и току. Параметры основной схемы используются в качестве исходных при расчётах. Связи Y-параметров и, соот­ветственно, g-параметров транзистора при включениях ОБ и ОК с                     Y-параметрами включения ОЭ определяются соотношениями:

 

 Y11ОК = Y11ОЭ;                                  Y11ОБ = Y11ОЭ + Y21ОЭ + Y12ОЭ + Y22ОЭ;

 Y21ОК = - Y11ОЭ - Y21ОЭ;                         Y21ОБ = - Y21;

 Y22ОК = Y11ОЭ + Y21ОЭ + Y12ОЭ + Y22ОЭ; Y22ОБ = Y22;                                            (5)

 Y12ОК = - Y11ОЭ - Y12ОЭ;                        Y12ОБ = - Y12ОЭ - Y22ОЭ.

Одним из распространённых описаний вольт-амперных характеристик транзистора, используемых при анализе свойств усилительных схем, является модель Эберса-Молла. Согласно этой модели,

IК = IЭ = IОЭ exp(UБЭ m φT);                                                                   (6)

g21 = ∂ IK ∕ ∂ UБЭ = IЭ0m φT;                                                                  (7)

g11 = ∂ IБ ∕ ∂ UБЭ = IЭ0m φT h21Э; g12 = 0,                                            (8)

где h21Э – коэффициент усиления транзистора по току в схеме с общим эмитте­ром. Соотношения (7) и (8) вытекают из (6).

Известно также, что значение выходной проводимости g22 как функции положения ИРТ приближённо со­ответствует формуле

g22 = IЭ ∕ (|UЭР| + | UКЭ|),     (9)                                                         

где UЭР – потенциал Эрли.

Влияние потенциала Эрли на вид выходных вольт-амперных характеристик транзистора иллю­стрирует рис.5. На нём приведены построенные в соответствии с (9) графики зависимостей IК от UКЭ , аппроксимирующие указанные характеристики при UКЭ0>Uнач.

 

 

Порядок выполнения второй части работы.

 

В ходе выполнения исследований по второй части для включения транзи­стора по схеме ОЭ (S51) необходимо определить значения параметров g21, g11 и g22 и оценить характер их зависимости от IЭ0.

Измерение следует выполнить на частоте 1кГц при относительно не­больших значениях входного сигнала (UВХ = 10мВ). При измерениях необхо­димо иметь в виду, что Y – параметры транзистора соответствуют ре­жиму короткого замыкания входных и выходных зажимов транзистора. Поэтому из­мерение параметров необходимо осуществлять в условиях, когда внешние по отношению к транзистору цепи имеют по возможности малое со­противление. В ходе выполнения исследований измерение переменных потенциалов произво­дится с помощью цифрового вольтметра. Точки подклю­чения входов вольтметра и осциллографа определяются положениями переключателя S6.

1. Исследуйте зависимость параметра g21 транзистора схемы ОЭ от тока IЭ0. Для этого при низкоомном источнике синусоидального сигнала (S1 1,     S21) на частоте 1кГц в режиме, близком к режиму короткого замыкания на выходе (S41, S73), измерьте при ряде положений переключателя S3 (положениях 1…7) значения переменного напряжения UВЫХ на коллекторе транзистора (S62). Перед началом измерений установите на входе UВХ = 10мВ (S61, S71). По результатам измерений вычислите значения параметра g21 по формуле

  g21 = UВЫХ(1 ∕ R6 + 1 ∕ R17) ∕ UВХ.                                                 (10)

Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков зависимостей g21 = f(IЭ0), один из которых построен по результатам измерений, а другой – на основании вычислений по формуле (7) с подстановкой в неё значений IЭ и m, найденных при вычислениях по п.2 (порядок выполнения первой части работы).

2. Исследуйте зависимость входной проводимости g11 от тока IЭ0. Измерения необходимо осуществлять при UВЫХ = 0 (S43), заземлённых по сигнальной составляющей , эмиттере (S51), коллекторе (S43) и при источнике сигнала с выходным сопротивлением R1= 240 Ом (S22) и ЭДС    UГ = 20мВ (S64, S71).

В ходе измерений необходимо для ряда значений тока IЭ0 (положения 1…7 переключателя S3) определить значения сигнального напряжения UВХ на базе транзистора (S61) и U`ВХ в точке “г” схемы рис.3. По результатам измерений UВХ и U`ВХ вычислите значения параметров g11 и h21 по формулам:

     g11 = (U`ВХ - UВХ) ∕ R1 UВХ – gдел ; h21 = g21 ∕ g11,                          (11)

где gдел – полная проводимость цепи делителя, шунтирующего вход транзистора на переменном токе. Проводимость gдел при различных положениях переключателя S3  принимает значения: 1 – 0.55, 2 – 0.65, 3 – 0.7,   4 – 0.75, 5 – 0.8, 6 – 0.9, 7 – 1.0 мСм.

Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков зависимостей g11 = f(IЭ0) и h21 = f(IЭ0), где g11, h21, IЭ0 – значения, вычисленные в соответствии с (11) и (2).

3. Исследуйте зависимость выходной проводимости g22 транзистора от положения исходной рабочей точки. Измерения необходимо осуществить при низкоомном источнике сигнала (S21) и высокоомной коллекторной нагрузке (S45).

В ходе измерений для ряда значений тока IЭ0 (положения 1…7 переключателя S3) определите относительные изменения N = UВЫХU`ВЫХ сигнального напряжения на выходе каскада (S62), возникающие при шунтировании его выхода дополнительным сопротивлением R18 = 1кОм

(S7 - 2). В начале измерений (S31) рекомендуется установить уровень входного сигнала, при котором UВЫХ = 0.1В (S62). Значения параметра g22 вычислите по формуле

               .                                     (12)

С помощью соотношения (9), результатов вычислений g22 по формуле (12) и полученных в п.1 (порядок выполнения первой части работы)данных о IЭ, UКЭ оцените значение потенциала Эрли.

 

Часть 3. Исследование свойств усилительного каскада при различных способах включения транзистора в его схему.

 

Общие сведения.

 

Из трёх используемых на практике способов включения транзистора в схему усилительного каскада наибольшее распространение получила схема ОЭ (рис.4,а), поскольку при ней в каскаде наилучшее сочетание таких основных параметров каскада как его усиление по мощности KP, току KI и напряжению K, значений входной gВХ и выходной проводимостей gВЫХ. Поэтому при построении усилительных трактов в первую очередь ориентируются на использование схемы ОЭ, считая её основной схемой включения. В каскаде ОК (рис.4,б) коэффициент передачи схемы по напряжению близок к единице, в результате чего выходной сигнал UВЫХ по значению и фазе повторяет входной UВХ, поэтому каскад ОК называют повторителем напряжения. Достоинством повторителя типа ОК является то, что он обладает малой входной и большой выходной проводимостями.

В схеме ОБ (рис.4,в) выходной ток IВЫХ приблизительно равен входному IВХ, поэтому каскад можно рассматривать как повторитель тока с коэффициентом передачи по току KI = 1. Схема ОБ обладает большой входной проводимостью, отсутствием усиления по току, пониженным, по сравнению со схемой ОЭ, усилением по мощности. По сравнению с каскадами ОЭ, в каскадах ОБ в малой степени проявляется действие паразитных обратных связей через паразитные ёмкости, поэтому схемное построение ОБ часто применяют в усилительных трактах, работающих на повышенных частотах.

Основные параметры каскадов ОЭ, ОК и ОБ могут быть выражены через Y-параметры соответствующих схем включения транзистора с помощью следующих соотношений:

K = Y21 ∕ (Y22 + YН) ; KI = K YВЫХYВХ ; KP = K KI ;

YВЫХ = Y22 + Y12 Y21 ∕ (Y11 + YС) ; YВХ = Y11 + Y12 K ,                           (13)

где YС – выходная проводимость источника сигнала.

 

Порядок выполнения третьей части работы.

 

Измерения выполняются на частоте 1кГц.

1. Исследуйте свойства каскада ОЭ при RН = 900 Ом (S11, S21 и 2,   S45, S51, S7 - 1), IЭ0 = 5мА (S33) и входном сигнале ≈10мВ. Измерение и вычисление основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = UВЫХUВХ ; gВХ = (UГUа) ∕ R1 Uа ; gВЫХ = [R18(UВЫХU`ВЫХ -1)]-1,

где R1 = 240 Ом (S22), UВХ = UБ или Uа, UВЫХ = UК или Uб; UВЫХU`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R18 (S72). Измерение gВЫХ проводите при RС ≈ 0 (S21) и RС ≈ 240 Ом (S22).

2. Исследуйте свойства каскада ОК при RН = 510 Ом (S43, S56 или 8, S7 - 1), IЭ0 = 5мА (S33) и входном сигнале ≈50-100мВ. Измерение и вычисление основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = UВЫХUВХ ; gВХ = (UГUа) ∕ R1 Uа ; gВЫХ = [R17 (UВЫХU`ВЫХ -1)]-1,

где R1 = 240 Ом (S22), UВХ = UБ или Uа, UВЫХ = UЭ или Uв; UВЫХU`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R17 (S73).

Измерение gВХ проводите при двух вариантах построения каскада ОК    (S56 и S58). При сравнительном анализе результатов измерений gВХ следует иметь в виду, что в схеме с S56 практически исключено влияние на значение входной проводимости низкоомного делителя в цепи базы за счёт подключения с помощью конденсатора С6 выхода этого делителя не к входу схемы, а к её выходу.

Измерение gВЫХ проводите при RС ≈ 0 (S21) и RС ≈ 18кОм (S23) при этом  S56.

3. Исследуйте свойства каскада ОБ при RН = 900 Ом (S11, S25, S45, S55, S7 - 1), IЭ0 = 5мА (S33) и входном сигнале ≈10мВ. Измерение и вычисление основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = UВЫХUВХ ; gВХ = (UГUв) ∕ R16 Uв ; gВЫХ = [R18(UВЫХU`ВЫХ -1)]-1,

где UВХ = UЭ или Uв, UВЫХ = UК или Uб; UВЫХU`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключении дополнительной нагрузки R18 (S72).

4. С помощью (13) и (5) и полученных в п.1…3 (порядок выполнения второй части работы) данных о параметрах транзистора при S33 вычислите значения параметров K, KI, KP, gВХ и  gВЫХ. При расчётах полагайте, что

g12 = 0.

 

Часть 4. Исследование свойств каскадов ОЭ, ОК, ОБ при их работе в условиях отсутствия заземлённости общего провода.

 

Общие сведения.

 

Часто активный прибор умышленно или помимо желания разработчика оказывается включённым в схему каскада таким образом, что в цепях заземления общих для входных и выходных электродов схем рис.4 оказывается включённым дополнительный двухполюсник Zf , как это показано на рис.6.

Схемы рис.6 можно рассматривать как разновидности соответствующих схем рис.4, отличающиеся от последних наличием дополнительного сопротивления Zf ≠ 0. Включение в схему сопротивления Zf вызывает появление внутрикаскадной отрицательной обратной связи, которая понижает входную проводимость, повышает устойчивость параметров каскада по отношению к воздействию дестабилизирующих факторов, но при этом снижает коэффициент усиления по напряжению. В дальнейшем параметры,
соответствующие случаю Zf ≠ 0, будем отмечать дополнительным индексом “f “. Относительное влияние отрицательной обратной связи характеризуют её глубиной – числом F, показывающим, во сколько раз уменьшается коэффициент усиления схемы при введении в неё обратной связи.

Сопротивление Zf удобно рассматривать как составную часть самого транзистора, имеющего другие изменённые значения Y-параметров – значения Yf . Эти значения для всех схем включения транзистора в каскад определяются соотношениями:

где ∆ОЭ = ∆ОК = ∆ОБ = Y11 Y22 - Y12 Y21;

  FОЭ = 1 + (Y11 + Y21 + Y12 + Y22) Zf1 + (Y11 + Y21) Zf ;

  FОБ = 1 + Y11 Zf ; FОК = 1 + Y22 Zf .

В условиях, когда Zf ≠ 0 (F > 1) происходит стабилизация параметров каскада, уменьшение чувствительности этих параметров к проявлению дестабилизирующих факторов. Например, чувствительность SKfIk0 коэффициента усиления Kf в схеме рис.6,а к изменениям ∆ IК (∆ IК ≈ ∆ IЭ) коллекторного тока IК (IКIЭ) меньше соответствующей чувствительности SKIk0 в схеме рис.4,а в F раз. Значение чувствительности параметра K к дестабилизирующему фактору ∆ IК определяется соотношением

,                                                      (14)

где IК0 = √(IК01 IК02) - усреднённое значение тока IК на интервале его изменения от IК01 до IК02 ; K = √( K1 K2) – усреднённое значение коэффициента усиления на интервале, соответствующем изменениям тока IК на ∆ IК0 = IК02 - IК01.

Порядок выполнения четвёртой части работы.

 

1. Исследуйте влияние на параметры транзистора дополнительного ре­зистора Rf, включённого в его эмиттерную цепь. Для этого при IЭ0 ≈ 5мА     (UR8 ≈ 2.5В, S3 – 3) и Rf = 11 Ом (S52) определите значение параметров g21f, g11f, g22f. Измерение указанных параметров осуществите по методикам, аналогич­ным методикам пп.1…3 (порядок выполнения второй части работы). Сопоставьте относительные различия соответствующих параметров, изме­ренных в дан­ном пункте и пп.1…3 (порядок выполнения второй части работы) и между собой, а также с глубиной обрат­ной связи, вычисленной по формуле   F = 1 + g21R14.

2. Исследуйте стабилизирующее влияние на коэффициент усиления каскада ОЭ дополнительного резистора, включённого в эмиттерную цепь транзистора. Для этого при отсутствии (S51) и наличии (S52) обратной связи измерьте относительные изменения ΔК ∕ К и ΔКf ∕ Кf коэффициентов К и Кf, вызванные изменениями эмиттерного тока от IЭ01, соответствующего        S33, до IЭ02, соответствующего S34 . Определите значения токов IЭ01 и IЭ02 по падению постоянного напряжения на R8, считая, что IЭ = UR8 ∕ R8. Измере­ния значений К и Кf выполните при UВХ = 10 мВ и сопротивлении нагрузки 100 Ом (S41) при RС ≈ 10 Ом (S21).

По результатам измерений и вычислений определите по формуле (14) и сравните между собой значения чувствительностей SKIk0 и SKfIk0 . Сопоставьте результат сравнения со значением глубины обратной связи F, считая, что

F = K ∕ Kf .

 

 

Контрольные вопросы.

 

 

1. Объясните. почему в схемах рис.2 и 3 в условиях когда UКЭ >Uнач , зна­чение IК0 практически не зависит от RК , но изменяется пропорционально изменениям R8 ?

2. Почему для обеспечения малой зависимости IК0 от свойств конкретного транзистора необходимо в схеме рис.2 выполнить условие Iдел>> IБ0 ?

3. Выделите общие и различающиеся принципы, используемые при орга­низации схем ОЭ, ОБ, ОК, предназначенных для усиления переменных сигналов.

4. На схеме рис.3 укажите положения переключателей, соответствующие следующим схемам включения транзистора в каскад ОЭ, ОЭf , ОБ, ОБf , ОК, ОКf .

5. Какие допущения используют при составлении эквивалентных схем каскада для области средних частот?

6. Что такое низкочастотные Y – параметры транзистора?

7. Какова методика измерения параметров g21, g11 и g22? Почему в схемах ОЭ и ОБ измерение g22 проводится с помощью резистора 1кОм, а в схеме ОК – 30 Ом?

8. Почему при больших значениях IК0 (S3 – 7) измеренные значения g-па­раметров существенно отличаются от вычисленных по формулам (10), (11) и (12)?

9. Каково соотношение между gВХ схемы ОБ и gВЫХ схемы ОК?

10. Почему схема ОК с S56 обладает повышенным входным сопротив­лением по сравнению со схемой ОК с S58 (см. рис.3)?

11. Дайте сравнительный анализ схем ОЭ, ОБ и ОК по параметрам gВХ и gВЫХ.

12. Дайте сравнительный анализ схем ОЭ И ОЭf по параметрам K, KI и KP.

13. Каково назначение резистора R14 в лабораторной установке и как от­ражается его включение в схему на свойствах каскада ОЭ?

14. Каково назначение резистора R3 и как отражается его включение в схему на свойствах каскада ОБ?

15. Каково назначение резистора С3 и как отразится его исключение из схемы на свойствах каскада ОК?

 

      Для нового макета.

 

      Порядок выполнения первой части работы.

 

В ходе выполнения лабораторных исследований определите зависи­мость разности потенциалов UБЭ от тока IЭ, при этом сопоставьте ход данной зависи­мости с аналогичной, описываемой соотношением (1) для случая m=1 и IОЭ, вычисленного по формуле

   IОЭ= IЭ exp(-UБЭφT),                                                            (3)

где IЭ, UБЭ – значения тока и напряжения, отвечающие начальному участку из­меренной зависимости UБЭ=f(IК), когда m=1 (ток IЭ = 1мА). В ходе исследований также оцените ход зависимости m от тока IЭ0, при этом текущие значения m при раз­личных IЭ и UБЭ вычислите по формуле

   m= UБЭ ∕ ( φT ln(IЭ IОЭ)), где IЭ = UЭ0 ∕ R8.                             (4)

1. Исследуйте зависимость постоянных напряжений на выводах транзистора от тока эмиттера IЭ, для этого при ряде значений IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) измерьте значения потенциалов UБ0, UК0, UЭ0. Регулировка эмиттерного тока осущест­вляется изме­нением напряжения смещения на базе транзистора (ручка ЕСМ). Измерения осуществите при S3 4, S21,  S42 ( для установки тока 11 мА использовать S41). Положение остальных переключателей про­извольное.

2. По результатам измерений п.1 вычислите значения тока IЭ = UЭ0 ∕ R8 (или IЭ = UЭ0 ∕ R6) и разности потенциалов UБЭ= UБ0 - UЭ0. Результаты изме­ре­ний представьте в виде графика зависимости UБЭ=f(IЭ), а также графиков, соответствующих проведённым по формулам (1), (3) и (4) вычислениям.

 

  Порядок выполнения второй части работы.

 

В ходе выполнения исследований по второй части для включения тран­зи­стора по схеме ОЭ (S5 – 1)  необходимо определить значения параметров g21, g11 и g22 и оценить характер их зависимости от IЭ0.

Измерение следует выполнить на частоте 1кГц при относительно не­больших значениях входного сигнала (UВХ ≈ 10мВ ). При измерениях необхо­димо иметь в виду, что Y – параметры транзистора соответствуют ре­жиму ко­роткого замыкания входных и выходных зажимов транзистора. Поэтому измерение параметров необходимо осуществлять в условиях, когда внешние по отношению к транзистору цепи имеют по возможности малое сопротив­ление. Для всех схем S21.

1. Исследуйте зависимость параметра g21 транзистора схемы ОЭ от тока IЭ0. Для этого при низкоомном источнике синусоидального сигнала (S1 2) на частоте 1кГц в режиме, близком к режиму короткого замыкания на выходе    (S31, S63), измерьте при ряде значений тока IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) переменное напряжения UВЫХ на коллекторе транзистора. Перед началом измерений установите на входе UБ = UВХ ≈ 10мВ. По результатам измерений вычислите значения пара­метра g21 по формуле

  g21 = UВЫХ(1 ∕ R9 + 1 ∕ R19) ∕ UВХ.                                                (10)

Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков за­висимостей g21 = f(IЭ0), один из которых построен по результатам измерений, а другой – на основании вычислений по формуле (7) с подстановкой в неё значений IЭ и m, найденных при вычислениях по п.2 (порядок выполнения первой части работы).

2. Исследуйте зависимость входной проводимости g11 от тока IЭ0. Из­мерения необходимо осуществлять при UВЫХ = 0 (S33), заземлённых по сигнальной составляющей, эмиттере (S51), коллекторе (S33) и при ис­точнике сигнала с выходным сопротивлением R1= 330 Ом (S13) и ЭДС

UГ ≈ 20 - 30мВ.

В ходе измерений необходимо для ряда значений тока IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) определить значения сигнального напряжения UВХ на базе транзистора (UВХ = UБ). По результатам из­мерений UВХ и UГ вычислите значе­ния параметров g11 и h21 по формулам:

   g11 = (UГ - UВХ) ∕ R1 UВХ – gдел ; h21 = g21 ∕ g11,                        (11)

где gдел – полная проводимость цепи делителя, шунтирующего вход транзи­стора на переменном токе. Проводимость gдел = 1∕ R4.

Результаты измерений и вычислений представьте в виде графиков за­висимостей g11 = f(IЭ0) и h21 = f(IЭ0), где g11, h21, IЭ0 – значения, вычисленные в соответствии с (11) и (2).

3. Исследуйте зависимость выходной проводимости g22 транзистора от положения исходной рабочей точки. Измерения необходимо осуществить при низкоомном источнике сигнала (S12) и высокоомной коллекторной на­грузке (S34).

В ходе измерений для ряда значений тока IЭ0 (1мА, 2мА, 3мА, 5мА, 7мА и 11мА) определите относительные изменения N = UВЫХU`ВЫХ сигналь­ного напряжения на выходе каскада (на коллекторе), возникающие при шун­тировании его выхода дополнительным сопротивлением

R18 = 910Ом (S6 - 2). В начале измерений рекомендуется установить уровень входного сигнала UБ = UВХ ≈ 10мВ. Значения параметра g22 вычислите по формуле

               .                                   (12)

С помощью соотношения (9), результатов вычислений g22 по формуле (12) и полученных в п.1 (порядок выполнения первой части работы)данных о IЭ, UКЭ оцените значение потенциала Эрли.

 

            

        Порядок выполнения третьей части работы.

 

Измерения выполняются на частоте 1кГц.

1. Исследуйте свойства каскада ОЭ при RН = 910 Ом (S12 и 3, S42,   S21, S51, S6 - 1), входном сигнале ≈10мВ и IЭ0 по заданию преподавателя. Измерение и вычисле­ние основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = UВЫХUВХ ; gВХ = (UГUБ) ∕ R1 UБ ; gВЫХ = [R18(UВЫХU`ВЫХ -1)]-1,

где R1 = 330 Ом (S13), UВХ  = UБ , UВЫХ = UК; UВЫХU`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключе­нии дополнитель­ной нагрузки R18 (S62). Измерение gВЫХ проводите при RС ≈ 0 (S12) и

RС ≈ 330 Ом (S13).

2. Исследуйте свойства каскада ОК при RН = 500 Ом (S21,  S33,

S42, S53, S6 - 1), входном сигнале ≈50-100мВ и IЭ0 по заданию преподавателя. Измерение и вычисле­ние основных параметров К, gВХ, gВЫХ выполните в соответствии с формулами:

К = UВЫХUВХ ; gВХ = (UГUВХ) ∕ R1 UВХ ; gВЫХ = [R12 (UВЫХU`ВЫХ -1)]-1,

где R1 = 330 Ом (S13), UВХ = UБ, UВЫХ = UЭ; UВЫХU`ВЫХ – относительное уменьшение напряжения UВЫХ, возникающее при подключе­нии дополнитель­ной нагрузки R12 (S52).

Измерение gВХ проводите при двух вариантах построения каскада ОК    (S21 и S22). При изменении положения переключателя S2 не забудьте отрегулировать ток IЭ0.

Измерение gВЫХ проводите при RС ≈ 0 (S12) и RС ≈ 20кОм (S14) при этом  S22.

3. Исследуйте свойства каскада ОБ при RН = 910 Ом (S15, S2



  

© helpiks.su При использовании или копировании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.