Задание №2 | ||
Электроника – является отраслью науки и техники, это исследования физических основ функцирование устройств и исследования, разработки и использования чего? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Полупроводниковые приборы |
2) | + | Полупроводники, электронные и ионные приборы |
3) | - | Электронное устройство. |
4) | - | Ионный инструмент. |
5) | - | Полупроводниковое и электронное оборудование |
Задание №3 | ||
Производственная электроника, занимающаяся производством полупроводникового, электронного и ионного оборудования, это: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Информационная и силовая электроника. |
2) | - | Информационная и электротехническая электроника. |
3) | - | Информация и обновление электроники. |
4) | - | Электрическая и силовая электроника. |
5) | - | Обновление и силовая электроника. |
Задание №4 | ||
Информационная электроника – это часть производственной электроники занимающаяся какими устройствами ? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Путем изменения частоты приборови устройств. |
2) | - | Переход электричества от одного типа к другому. |
3) | - | Обработка и передача электрической энергии. |
4) | - | Информация отображается и передается. |
5) | + | Отображение, обработка и передача информации. |
Задание №5 | ||
Энергетическая электроника – это часть производственной электроники занимающаяся какими устройствами ? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Путем изменения частоты приборови устройств. |
2) | - | Переход электричества от одного типа к другому. |
3) | + | Обработка и передача электрической энергии. |
4) | - | Информация отображается и передается. |
5) | - | Отображение, обработка и передача информации. |
Задание №6 | ||
Вакуумная электроника - это отдел электроники, который изучает воздействие с чем эффектов и результатов потока свободных электронов? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | С электрическим полем в вакууме. |
2) | - | С тепловым магнитным полем в вакууме. |
3) | - | С потоком световой энергии в вакууме. |
4) | + | Электромагнитные поля в вакууме. |
5) | - | С потоком энергии электромагнитного поля в вакууме. |
Задание №7 | ||
Плазменная электроника - это элемент электроники, который исследует эффекты коллективного взаимодействия и проявления чего? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Плазма и ионизирующий газ протекают через незаряженные детали. |
2) | + | Плазма и ионизирующий газ протекают через заряженные частицы. |
3) | - | Электромагнитная сила создает излучение, испускаемое плазмой и ионизированным газом. |
4) | - | Электрические сигналы электромагнитного излучения в газифицированной среде. |
5) | - | Газообразная среда с воздействием электромагнитных полей динамического взаимодействия. |
Задание №8 | ||
Квантовая электроника в основе чего является частью электроники, которая изучает увеличение и генерацию электромагнитных колебаний? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Вещественные эффекты внутреннего воздействия радиации и нелинейного излучения |
2) | - | Влияние взаимодействия случайного излучения с нелинейным излучением |
3) | - | Материальное влияние собственных лучевых пучков и нелинейное радиационное взаимодействие. |
4) | - | Воздействие внутрисилового излучения и взаимодействие линейного излучения. |
5) | - | Влияние эффекта взаимодействия собственных и нелинейных лучей. |
Задание №9 | ||
Оптоэлектроника – в основе чего является направлением электроники,который изучает вопросы хранения и обработки,генерирование информации? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Вертикальное преобразование электрических сигналов в оптическом диапазоне |
2) | - | Сила электрических сигналов в оптическом диапазоне. |
3) | - | Дискретное преобразование электрических сигналов в оптическом диапазоне. |
4) | - | Изменение оптических сигналов только на электрические сигналы. |
5) | + | Передача электрических сигналов на оптические и обратные |
Задание №10 | ||
Функциональная электроника - какие информационные сигналы используют микроэлектроники? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Статистическое разнообразие в контуальной среде |
2) | + | Динамическое разнообразие в контуальной среде. |
3) | - | Динамическая однородность в контуальной среде |
4) | - | Статистическая однородность в контуальной среде |
5) | - | Динамическая однородность в промежуточной среде. |
Задание №11 | ||
В функциональной диэлектрической электронике существует континуальноая среда: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Элементарные полупроводники |
2) | - | Пьезо полупроводник. |
3) | + | Активные диэлектрики. |
4) | - | Информационные каналы. |
5) | - | Данная молекула |
Задание №12 | ||
Континуальная среда для акустической электроники: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Молекулярная система с заданными свойствами |
2) | - | Пьезоэлектрическая, пьезоэлектрическая, верхняя сетка. |
3) | - | Элементарные, аморфные, органические полупроводники. |
4) | - | Активная и пассивная оптическая среда. |
5) | + | Пьезоэлектрики, пьезоэлектрические проводники, слоистая среда. |
Задание №13 | ||
Функциональная полупроводниковая электроника будет иметь континуальную среду: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Элементарные, аморфные, органические полупроводники. |
2) | - | Только органические полупроводники. |
3) | - | Пьезоэлектричество и пьезоэлектричество. |
4) | - | Информационные каналы |
5) | - | Молекулярная система в данном свойстве. |
Задание №14 | ||
Функциональная оптоэлектроника может быть континуальной средой: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Сложная слоистая среда. |
2) | - | Активные диэлектрики. |
3) | + | Активная и пассивная оптическая среда. |
4) | - | Аморфные полупроводники. |
5) | - | Молекулярная система в данном свойстве. |
Задание №15 | ||
Функциональная молекулярная электроника может представлять собой континуальную среду: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Органические полупроводники и верхние решетки. |
2) | - | Молекулярная система в органических молекулах со свойствами |
3) | - | Сложная слоистая среда. |
4) | + | Молекулярная система - это специально созданная органическая молекула с заданными свойствами. |
5) | - | Информационные каналы |
Задание №16 | ||
Динамическое разнообразие в результате взаимодействия разных физических полей: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Он остается без дела, континентальная среда движется к динамическому поведению. |
2) | + | Это может остановиться или перейти к рабочей среде. |
3) | - | Непрерывное прекращение может произойти в окружающей среде |
4) | - | В обычной среде он может останавливаться и сдвигаться |
5) | - | Это может сместиться против контура окружающей среды |
Задание №17 | ||
В процессе переключение динамического разнобразии будет: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Линейная линеаризация электрического поля. |
2) | - | Коррекция потенциала электрического поля. |
3) | + | Копирование информации. |
4) | - | Появление p-n переключения. |
5) | - | Снижение потенциального сопротивления коммутации p-n. |
Задание №18 | ||
Нанотехнология как направление микроэлектроники - совокупность методов и подходов к элементам и устройствам: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Нанометрические измерения, а также отдельные молекулы и атомы. |
2) | - | Наноометрические измерения в использовании динамического разнесения. |
3) | - | Нанометрические измерения в кристаллической решетке. |
4) | - | Основа взаимодействия с потоком заряженных частиц при взаимодействии с динамической дисперсией. |
5) | - | На основе взаимного преобразования магнитных и электрических радианов в оптическом диапазоне. |
Задание №19 | ||
Является направлением микроэлектроники,которое обрабатывает элементы и приборы по принципу микрометрии, а также отдельных атомов и молекул: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Микроминитехнология. |
2) | - | Микротехнология. |
3) | - | Минитехнология. |
4) | - | Наноминитехнология. |
5) | + | Нанотехнология. |
Задание №20 | ||
Инструмент, основанный на переходах электрического тока в твердом теле, называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Ионный. |
2) | - | Электронный. |
3) | - | Электрный. |
4) | + | Полупроводниковый. |
5) | - | Газовое зарядное устройство. |
Задание №21 | ||
Работа устройств основана на переходах электрического тока в газе, называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Электронный. |
2) | + | Ионный. |
3) | - | Электрный. |
4) | - | Полупроводниковый. |
5) | - | Газовое зарядное устройство. |
Задание №22 | ||
Работа устройств основана на переходах электрического тока в вакууме, называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Электронный. |
2) | - | Ионный. |
3) | - | Электрный. |
4) | - | Полупроводниковый. |
5) | - | Газовое зарядное устройство. |
Задание №23 | ||
Сочетание полупроводниковых, электронных и ионных материалов: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Середина поездки. |
2) | - | Линейность элементов. |
3) | - | Хорошие диэлектрические свойства. |
4) | - | Взаимное изменение. |
5) | + | Нелинейность элементов. |
Задание №24 | ||
Характеристика нелинейности элементов: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Полупроводниковые, электронные и ионные приборы |
2) | - | полупроводниковое устройство |
3) | - | Электронное оборудование. |
4) | - | К ионному инструменту. |
5) | - | Полупроводниковые и электронные приборы. |
Задание №25 | ||
Электрон является небольшим носителем электрического заряда и характеризуется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Динамическое разнообразие и механические моменты |
2) | - | У него свой электромагнитный момент и бесконечное время «жизни». |
3) | + | Он имеет свой механический и магнитный момент и имеет много «жизненного» времени. |
4) | - | Он имеет свой собственный магнитный и механический импульс и является динамичным. |
5) | - | Динамичное разнообразие и много «жизненного» времени. |
Задание №26 | ||
Переходный слой между чего и областью полупроводникового материала, называется электрическим сдвигом. | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Различные типы проводников. |
2) | - | Различные значимые проводники |
3) | + | Проводящие значения и разные типы |
4) | - | Разные структуры кристаллических решеток |
5) | - | Различные типы проводников, различные проводники и различные структуры кристаллических решеток |
Задание №27 | ||
Электропроводность полупроводников обусловлена наличием пустых носителей: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | (-) заряд (недостаток) и (+) заряд (электроны). |
2) | - | Только (-) заряд (электроны). |
3) | - | Только (+) заряд (недостаток). |
4) | + | (-) заряд (электроны) и (+) заряд (недостаток). |
5) | - | Только (-) заряд (недостаток). |
Задание №28 | ||
Монокристаллическое вещество отличается от следующего соединения: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Ион, металл и ковалент. |
2) | - | Ионные, валентные и ковалентные. |
3) | - | Валентина, ковалент и металл |
4) | - | Валентина и ковалент |
5) | - | Зональная, валетическая и ковалентная. |
Задание №29 | ||
В кристаллических полупроводниках доблестные электронные атомы называются атомными взаимодействиями, общими для соседних атомов ... | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Валентность. |
2) | + | Ковалентная. |
3) | - | промежуточное атомное. |
4) | - | Металл. |
5) | - | Общие положения. |
Задание №30 | ||
Движение клапанных электронов по внутренней орбите переносящего атома характерно для этих веществ: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Обязательный полупроводник. |
2) | - | Электроны тесно связаны с атомами. |
3) | - | Верхняя валентность атома. |
4) | - | Нижняя валентность атома. |
5) | + | Связь между электронами и атомами. |
Задание №31 | ||
Движение валентных электронов во внутреннем электроде входного атома характерно для этих веществ: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Верхняя валентность атома. |
2) | - | Связь между электронами и атомами. |
3) | + | Электроны тесно связаны с атомами. |
4) | - | Нижняя валентность атома |
5) | - | Обязательный полупроводник. |
Задание №32 | ||
Сколько электронов кремния Si каждый атом может участвовать в образовании ковалентных связей с соседними атомами? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | 2 электрона на атом. |
2) | + | 4 электрона на атом |
3) | - | 6 электронов на атом. |
4) | - | 8 электронов на атом |
5) | - | 10 электронов на атом |
Задание №33 | ||
Когда образуются ковалентные связи, сколько электронов Si будет присутствовать на орбите Si каждого атома? | ||
Выберите несколько из 10 вариантов ответа: | ||
1) | - | 2 электрона на атом. |
2) | - | 4 электрона на атом |
3) | - | 6 электронов на атом. |
4) | + | 8 электронов на атом |
5) | - | 10 электронов на атом При какой температуре находится идеальная кристаллическая решетка полупроводникового элемента? |
6) | + | 0 Близко к. |
7) | - | Около 0 ° С |
8) | - | Близко к 100 ° R. |
9) | - | При 100 ° F |
10) | - | При 100 ° С |
Задание №34 | ||
В полупроводнике термин «недостаток» относится к физическому значению: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Валентина зоны в нулевом потенциале. |
2) | - | Вакансии в забаненном районе. |
3) | - | Зона запрещена с нулевым потенциалом. |
4) | - | Пространство в зоне передачи. |
5) | + | Допустимое положение в валентной зоне |
Задание №35 | ||
Процесс формирования электронно-недостаточной связи называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Синтез носителей заряда. |
2) | - | Обобщение носителей заряда. |
3) | + | Генерация зарядных ячеек. |
4) | - | Рекомбинация зарядных носителей. |
5) | - | Рекомбинация носителей заряда. |
Задание №36 | ||
Процесс трансформации валентной связи (устранение электронно-недостотаточной пары) называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Рекомбинация зарядных носителей. |
2) | + | Рекомбинация носителей заряда. |
3) | - | Обобщение носителей заряда |
4) | - | Генерация зарядных ячеек. |
5) | - | Синтез зарядных устройств. |
Задание №37 | ||
Генерация носителей заряда полупроводниковых кристаллов означает: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Устранение пары электрон - недостаток. |
2) | - | Появление пары электрон-электрон. |
3) | + | Появление пары электрон-недостаток. |
4) | - | Появление пары недостаток-недостаток. |
5) | - | Устранение пары электрон-электрон. |
Задание №38 | ||
Рекомбинация носителей заряда в полупроводниковом кристалле означает: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Устранение пары электрон - недостаток. |
2) | - | Появление пары электрон-электрон. |
3) | - | Появление пары электрон-недостаток. |
4) | - | Появление пары недостаток-недостаток. |
5) | + | Устранение пары электрон-электрон. |
Задание №39 | ||
Часть времени от генерации до рекомбинации электронно-недостаточной связи называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Дата переселения. |
2) | - | Жизненный цикл |
3) | - | Время восстанавливаться. |
4) | + | Время жизни |
5) | - | Жизненный или оборотный цикл. |
Задание №40 | ||
Согласно модели энергетической зоны полупроводника полная энергия электрона называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Уровень энергии |
2) | - | Энергетическая зона. |
3) | - | Энергетический потенциал. |
4) | - | Потенциальная зона. |
5) | - | Потенциальный уровень. |
Задание №41 | ||
Согласно энергетической модели полупроводника, уровень энергии, генерируемой при распаде: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Энергетический интервал. |
2) | - | Диапазоны мощности. |
3) | + | Энергетические зоны |
4) | - | Потенциальные зоны. |
5) | - | Потенциальный диапазон. |
Задание №42 | ||
Энергетическая зона, которая возникает в результате разложения отдельных атомов энергетических уровней в соответствии с энергетической моделью полупроводника: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Электронная зона. |
2) | - | Открытая зона. |
3) | - | Свободная зона. |
4) | - | Эквипотенциальная зона. |
5) | + | Разрешенная зона. |
Задание №43 | ||
Уровень энергии электрона соответствует энергетической модели полупроводника | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Отрицательная зона |
2) | - | Электронная зона. |
3) | - | Правая зона. |
4) | + | Валет-зона. |
5) | - | Свободная зона. |
Задание №44 | ||
Уровень энергетической модели полупроводника без электронов составляет что в процессе разложение: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Электронную зону. |
2) | + | Свободного места |
3) | - | Правую зону. |
4) | - | Негативную зону |
5) | - | Радиационную зону. |
Задание №45 | ||
Свободная зона без электронов в соответствии с энергетической моделью полупроводника называется: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Чистая зона. |
2) | - | Распределительное устройство канала. |
3) | - | Передающая зона. |
4) | + | Зона передачи. |
5) | - | Радиационная зона. |
Задание №46 | ||
Согласно энергетической модели полупроводника, запрещенная зона делится: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Проводниковая и валентная зона |
2) | - | Верхний и нижний уровни проводника. |
3) | - | Верхний и нижний уровни валентной зоны . |
4) | - | Верхний и нижний уровни проводника и валентной зоны |
5) | - | Нижний уровень проводника и валентные зоны. |
Задание №47 | ||
Электрическими проводниками n-и р-видов называют электрические переходы двух областей полупроводника: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Электрический-электрический переход. |
2) | + | Электронно-уступочные переходы. |
3) | - | Электронная. |
4) | - | Электронно-уступочные переходы. |
5) | - | Электрический переход. |
Задание №48 | ||
Электрическими проводниками n-и р-видов называют электрические переходы двух областей полупроводника: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Электронный-электронный переход. |
2) | + | Электронно-недостаточный переход. |
3) | - | Электронный переход. |
4) | - | Недостаточно-электронный переход. |
5) | - | Недостаточно-недостаточный переход. |
Задание №49 | ||
Электрическими проводниками р-видов называют электрические переходы двух областей полупроводника: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Электронный-электронный переход. |
2) | - | Электронно-недостаточный переход. |
3) | + | Недостаточный переход. |
4) | - | Недостаточно-электронный переход. |
5) | - | Недостаточно-недостаточный переход. |
Задание №50 | ||
Укажите определение электронно-недостаточного перехода: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Слой, который не имеет никаких зарядов. |
2) | - | Полный слой с пустыми зарядными носителями. |
3) | - | Комбинированный слой несинусоидальных зарядов. |
4) | - | Основной заряд не заполненные тасушылармен этаж |
5) | + | Слой, объединенный со свободными зарядными носителями. |
Задание №51 | ||
В полупроводниковых элементах называется введение атомов других элементов: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Легифинирование. |
2) | - | Легионирование. |
3) | - | Леминироление. |
4) | + | Легирлау. |
5) | - | Легицирование. |
Задание №52 | ||
Основным понятием легирование полупроводника является введение в полупроводниковые элементы атомов других элементов: | ||
Выберите несколько из 10 вариантов ответа: | ||
1) | + | Полупроводниковый элемент с очень хорошой валентностью |
2) | - | С большими валентностьями, чем полупроводниковый элемент |
3) | - | С меньшими валентностьями, чем полупроводникового элемента |
4) | - | Равенство валентности полупроводниковых элементов. |
5) | - | Валентность не дает никакого значения. При переключении на полупроводник изменение его проводимости зависит от изменения: |
6) | - | К кристаллической решетке полупроводникового элемента. |
7) | - | Его элементом является деформационная кристаллическая решетка. |
8) | - | Полупроводниковая валентность в результате деформации кристаллической решетки. |
9) | + | Атомная валентность является полупроводниковым элементом |
10) | - | Полупроводниковая атомная валентность в результате образования кристаллической решетки. |
Задание №53 | ||
n- тип легированного полупроводника образуется при добавлении какой смеси? | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Смесь добавок. |
2) | + | Донор дополнение. |
3) | - | Неосновная смесь. |
4) | - | Акцент микс. |
5) | - | В основном прилагается. |
Задание №54 | ||
p- тип легированного полупроводника образуется при добавлении какой смеси: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Неосновная смесь. |
2) | - | Донор дополнение. |
3) | + | Акцепторная добавка. |
4) | - | Акцент плюс. |
5) | - | Основной ингредиент. |
Задание №55 | ||
Название смеси, которая соединяет полупроводниковый элемент и образует электроны: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | + | Донорно. |
2) | - | Акцепторный. |
3) | - | Не основание. |
4) | - | Акцентной. |
5) | - | Основные. |
Задание №56 | ||
Названа смесь, которая соединяет полупроводниковый элемент и образует дефекты: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Основные. |
2) | - | Донорно. |
3) | - | Не основной. |
4) | - | Акцентной. |
5) | + | Акцепторный. |
Задание №57 | ||
Транспортировщики зарядов, вводимых путем легирования: | ||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||
1) | - | Не основной. |
2) | + | Основные. |
3) | - | Донорно. |
4) | - | Акцентов на. |
5) | - | Акцепторный. |
Задание №58 | ||||
Носители неленирированного заряда в полупроводниках: | ||||
Выберите один из 5 вариантов ответа: | ||||
1) | - | Акцепторны
|
||
|