Адрес оргкомитета: 603950, г. Нижний Новгород, ГСП-20, пр. Гагарина, д. 23, корп. 3, Гребеневу Игорю Васильевичу

Адрес оргкомитета: 603950, г. Нижний Новгород, ГСП-20, пр. Гагарина, д. 23, корп. 3, Гребеневу Игорю Васильевичу

Контактные телефоны: (831) 462-33-13.

Полная информация о конференции размещена в сети Интернет по адресу: http://newpt.unn.ru

Приложение 1 Регистрационная форма: 1. Ф.И.О. (полностью): 2. Ученое звание и ученая степень: 3. Место работы, должность: 4. Почтовый адрес для связи: 5. Контактный телефон: 6. Контактный E-mail: 7. Доклады: Авторы (Фамилия И.О.,...), Название доклада, Тип (Устный/Стендовый)

Приложение 2 Образец оформления тезисов доклада: Название доклада (14 пт., жирный) Фамилия И.О.¹, Фамилия И.О.² (12 пт., жирный, курсив) 1)Полное название первой организации, город (12 пт., курсив) 2)Полное название второй организации, город(12 пт., курсив) Тезисы докладов объемом не более 1 страницы формата А4. Поля сверху и снизу 25 мм, справа и слева 30 мм. Текст должен быть набран в редакторе, совместимом с MS WORD, через один интервал (шрифт Тimes New Roman). Размер шрифта для всего текста кроме заголовка - 12. Заголовок должен быть напечатан жирным шрифтом размера 14 и центрирован. После заголовка оставляется одна пустая строка. Далее следуют фамилии авторов и место их работы. Фамилии авторов печатать жирным наклонным (курсивным) шрифтом. Для названия места работы следует использовать наклонный шрифт (курсив). Далее, через одну пустую строку, печатается текст тезисов с выравниванием по ширине. Ссылки на литературные источники приводятся в квадратных скобках: [1], [2-5]. Список цитируемой литературы должен находиться в конце страницы и отделяться от текста пустой строкой. В случае, если авторов цитируемой работы больше трех, то для экономии места достаточно указать инициалы и фамилию первого соавтора. Пример списка литературы приведен ниже. Файл, содержащий ваши тезисы должен называться по фамилии и инициалам основного докладчика, набранным латинскими буквами, например: Ivanov_iv.doc. Литература 1. Зорин Е. И., Павлов П. В., Тетельбаум Д. И. Ионное легирование полупроводников. М.: Энергия, 1975, 195 с. 2. Лихарев К.К. // Микроэлектроника. 1987. Т. 16. В.3. С. 19. 3. Graugash Р., Graugash Р. // J. Е1ectrochem. Soc. 1981. V.128. N9. Р.924. 4. Фаддеев М.А., Чупрунов Е.В. В кн.: Тез. докл. конф. «Структура и свойства кристаллических и аморфных материалов, Нижний Новгород, 12-14 марта 1996 года». Нижний Новгород: изд. HНГУ, 1996. С. 150.

⇐ Предыдущая 12