Полупроводниковые приборы. Оглавнение. Полупроводниковые диоды

Стр 1 из 3Следующая ⇒

Рубцовский индустриальный институт

Филиал ГОУ ВПО «Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова»

Электроэнергетика и Электротехника-12

Реферат по ИИТиЭ

на тему:

Полупроводниковые приборы

Проверила:Плеханов Г. В.

Выполнил:ст. гр.ЭиЭ-12

Шепелев Е. П.

Оглавнение

1. Полупроводниковые диоды.

2. Полупроводниковые транзисторы.

3. Полевые МДП транзисторы.

4. Литература.

1.Полупроводниковые диоды

Диод - полупроводниковый прибор, пропускающий электрический ток только одного направления и имеющий два вывода для включения в электрическую цепь.

Полупроводниковый диод - полупроводниковый прибор p-n- переходом. Рабочий элемент- кристалл германия, обладающий проводимостью n–типа за счёт небольшой добавки донорной примеси Для создания в нём p-n-переходов в одну из его поверхностей вплавляют индий. Вследствие диффузии атомов индия вглубь монокристалла германия у поверхности германия образуется область р-типа. Остальная часть германия по-прежнему остаётся n- типа. Между этими двумя областями возникает р-n-переход. Для предотвращения вредных воздействий воздуха и света кристалл германия помещают в герметический корпус. устройство и схематическое изображение полупроводникового диода :

Достоинствами полупроводниковых диодов являются малые размеры и масса, длительный срок службы, высокая механическая прочность; недостатком - зависимость их параметров от температуры.

Вольт - амперная характеристика диода (при большом напряжении сила тока достигает наибольшей величины- ток насыщения) имеет нелинейный характер, поэтому свойства диода оцениваются крутизной характеристики:

12 3 Следующая ⇒