Характеристика полупроводникового диода

Диод

По конструкции полупроводниковые диоды могут быть плоскостными или точечными.

Характеристика полупроводникового диода

Будем увеличивать прямое напряжение на диоде и замечать величины токов. По полученным данным построим график зависимости прямого тока от прямого напряжения. Рассмотрим этот график.

Вначале прямой ток нарастает медленно т. к. в начальный момент электрическое поле батареи увеличивается от нуля, а электрическое поле p-n-перехода уменьшается. Когда напряжение батареи станет равным напряжению p-n-перехода электрические поля станут равными и противоположно направленными, результирующее поле равно нулю. С этого момента прямая характеристика становится линейной.

Теперь изменим полярность подключения батареи. Будем увеличивать обратное напряжение замечая величины токов построим график зависимости обратного тока от обратного напряжения. Рассмотрим его.

Обратный ток очень мал и почти не зависит от величины обратного напряжения т. к. он образован дрейфовым током т. е. неосновными носителями зарядов. Но при каком-то определенном напряжении обратный ток резко возрастает. Это явление называется электрическим пробоем.Объясняется это тем, что электроны приобретают большую скорость и ударяя об атомы выбивают их них электроны. Электрический пробой безопасен, если напряжение уменьшить диод останется исправным. Если же продолжать увеличивать напряжение то электрический пробой переходит в тепловой пробой. Это значит что диод нагревается и ток резко увеличивается за счет ухода электронов со своих атомов от повышения температуры. Тепловой пробой разрушает полупроводник, диод неисправен.